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NDS8434A 发布时间 时间:2025/7/1 19:48:16 查看 阅读:8

NDS8434A是一种N沟道增强型MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),广泛应用于开关电源、电机驱动、负载开关等场景。该器件具有低导通电阻、快速开关速度和高电流处理能力,适用于需要高效能和小型化的电子电路设计。
  这款MOSFET采用SOT23-3封装形式,便于表面贴装,同时能够满足便携式设备和其他空间受限应用的需求。

参数

最大漏源电压:30V  导通电阻:0.15Ω
  栅极阈值电压:1.6V~2.8V
  总功耗:380mW
  工作温度范围:-55℃~150℃

特性

NDS8434A的主要特点是其低导通电阻(Rds(on)),这有助于减少功率损耗并提高效率。此外,该器件具备出色的热稳定性和可靠性,在高温环境下仍能保持稳定的性能。
  其SOT23-3的小型封装非常适合用于对空间敏感的设计,例如移动设备、消费类电子产品以及工业控制领域。
  由于其低栅极电荷和快速开关特性,NDS8434A也特别适合高频开关应用,从而降低了电磁干扰和提高了系统整体效率。

应用

NDS8434A适用于多种电子电路设计场景,包括但不限于:
  - 开关模式电源(SMPS)中的同步整流
  - 消费类电子产品的负载开关
  - 电池保护电路
  - 便携式设备中的电源管理
  - 小功率电机驱动器
  - 数据通信接口保护

替代型号

NDS8434AN, BSS138, AO3400

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NDS8434A参数

  • 标准包装2,500
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列-
  • FET 型MOSFET P 通道,金属氧化物
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)20V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C7.8A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C24 毫欧 @ 7.9A,4.5V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)1V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs55nC @ 4.5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds1730pF @ 10V
  • 功率 - 最大1W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
  • 供应商设备封装8-SOICN
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称NDS8434ATR