时间：2025/4/29 11:42:54
阅读：2
TK11A65D是一款基于IGBT技术的功率半导体器件，主要用于高频开关应用。该型号中的STA4,X,M表示特定的应用封装和技术参数配置。它适用于工业电机控制、逆变器、不间断电源（UPS）以及各种需要高效功率转换的场景。
这款IGBT采用了先进的沟槽栅极结构和场截止技术，以降低开关损耗并提高效率。其额定电压为650V，能够承受较高的瞬态电压冲击，并且具备良好的热稳定性和可靠性。
额定电压：650V
额定电流：11A
集电极-发射极饱和电压：≤1.7V
门极阈值电压：3V~5V
开关频率范围：20kHz~100kHz
最大结温：150℃
存储温度范围：-55℃~150℃
1. 高效低损耗设计，适用于高频开关应用场景。
2. 采用沟槽栅极技术和场截止层，优化了导通和开关性能。
3. 具备短路保护功能，增强器件的鲁棒性。
4. 封装形式紧凑，便于集成到现代电力电子设备中。
5. 良好的热稳定性，确保在高温环境下的可靠运行。
6. 提供精确的动态参数，简化驱动电路设计。
1. 工业变频器及伺服驱动系统。
2. 不间断电源（UPS）和太阳能逆变器。
3. 家用电器中的电机驱动控制。
4. 电动汽车充电桩及相关功率转换设备。
5. 照明电源和高效功率因数校正（PFC）模块。
6. 各种需要快速开关和高效率的功率变换场合。
IRGB11C60D
FZ12R12KE3
CSD19538KCS
