时间：2025/8/9 14:32:18
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2SK2872-01MR 是一款由东芝（Toshiba）制造的N沟道增强型功率MOSFET。该器件适用于高频率开关应用，具备良好的导通特性和快速的开关速度，广泛应用于电源管理、DC-DC转换器、电机控制和负载开关等场景。这款MOSFET采用小型表面贴装封装（如SOT-23或SOP），适合高密度电路设计。
类型：N沟道增强型MOSFET
漏源电压(Vds)：30V
栅源电压(Vgs)：10V（最大值）
连续漏极电流(Id)：100mA（在25°C环境温度下）
功耗(Pd)：200mW
工作温度范围：-55°C ~ +150°C
存储温度范围：-55°C ~ +150°C
封装类型：SOT-23或SOP
2SK2872-01MR具备低导通电阻（Rds(on)），在低电压应用中可有效降低功率损耗，提高系统效率。其快速开关特性有助于减少开关过程中的能量损耗，提升整体性能。此外，该器件具有良好的热稳定性和可靠性，适用于多种工业和消费类电子产品。
该MOSFET采用小型封装，便于在空间受限的设计中使用，同时支持表面贴装工艺，提高了生产效率和焊接可靠性。器件的栅极驱动要求较低，适合与标准逻辑电路直接连接，简化了驱动电路的设计。
此外，2SK2872-01MR具有较高的耐压能力，能够在较宽的电压范围内稳定工作，适应不同的电源管理需求。
2SK2872-01MR 主要用于以下领域：
? 电源管理系统中的负载开关控制
? 小型电子设备中的DC-DC转换器
? 电池供电设备中的功率开关
? 电机驱动和继电器驱动电路
? 各类便携式消费电子产品中的低功耗开关控制
2SK3018, 2SK2637, 2SK3029
