类型: N沟道增强型MOSFET
　　漏源电压（VDS）: 30V
　　栅源电压（VGS）: ±20V
　　连续漏极电流（ID）: 80A
　　导通电阻（RDS(on)）: 7.5mΩ @ VGS=10V
　　工作温度范围: -55°C ~ 175°C
　　封装类型: TO-220AB

Q1875C-30N 功率MOSFET具有非常低的导通电阻，这使得在高电流应用中可以显著降低导通损耗，提高系统效率。其RDS(on)典型值为7.5毫欧，在VGS=10V时能够支持高达80A的连续漏极电流，适用于大功率负载的控制。此外，该器件具备快速开关特性，降低了开关过程中的能量损耗，提高了整体系统的响应速度和效率。
　　该MOSFET还具有良好的热稳定性，能够在高温环境下稳定工作。其TO-220AB封装提供了良好的散热能力，便于安装在散热片上以进一步提升热管理性能。Q1875C-30N 内部结构设计优化，具备较高的雪崩能量承受能力，增强了器件在异常工作条件下的可靠性和耐用性。
　　此外，Q1875C-30N 的栅极驱动要求较低，兼容常见的逻辑电平驱动电路，简化了驱动电路的设计，降低了系统的复杂度和成本。这种特性使得该器件在汽车电子、工业控制、电源管理和电动工具等领域中广泛应用。

Q1875C-30N 主要应用于需要高电流和高效率的功率系统中。例如，在电源管理模块中，它被用作DC-DC转换器的主开关元件，以实现高效的电压调节；在电机控制电路中，它用于驱动大功率直流电机，提供稳定的输出性能；在负载开关电路中，它可以作为高侧或低侧开关，控制大电流负载的通断。
　　此外，该器件还可用于电池管理系统（BMS），实现对电池充放电过程的高效控制；在电动工具和电动车控制器中，Q1875C-30N 也常用于逆变器和H桥电路中，以实现对电机的精确控制。由于其高可靠性和优异的热性能，Q1875C-30N 也广泛应用于汽车电子系统中，如车载充电器、起停系统、车身控制模块等。
　　在工业自动化和机器人控制系统中，该MOSFET被用于驱动各种执行机构和高功率传感器，确保系统的稳定性和响应速度。同时，它也可用于太阳能逆变器和储能系统中，提高能源转换效率。

IRF1405, FDP8870, Si7454DP, IPB180N04N