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NDS7002A 发布时间 时间:2025/6/21 18:34:42 查看 阅读:4

NDS7002A是一种N沟道增强型MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。该器件广泛应用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动和负载开关等场景。其低导通电阻和高开关速度使其成为高效能功率管理应用的理想选择。
  该芯片采用小型化封装,能够显著节省电路板空间,同时具备出色的热稳定性和可靠性。

参数

最大漏源电压:60V
  连续漏极电流:2.9A
  导通电阻:0.14欧姆
  栅极电荷:3.5nC
  总电容:850pF
  工作温度范围:-55°C 至 +150°C

特性

NDS7002A以其高性能表现著称,具体特点如下:
  1. 极低的导通电阻有助于减少功率损耗,提升系统效率。
  2. 高速开关性能使得它非常适合高频开关应用。
  3. 小型SOT-23封装设计有效减小了PCB占用面积。
  4. 热稳定性强,能够在极端温度条件下可靠运行。
  5. 具备出色的抗静电能力,防止意外损坏。
  6. 符合RoHS标准,环保无铅。

应用

NDS7002A在多种电子设备中得到广泛应用,包括但不限于:
  1. 开关模式电源(SMPS)中的同步整流。
  2. DC-DC转换器中的功率开关。
  3. 电池供电设备中的负载开关。
  4. 手机、平板电脑等便携式设备的电源管理。
  5. 各类消费类电子产品中的电机驱动。
  6. 计算机外设和网络通信设备中的信号切换。

替代型号

NDS7002
  BSS138
  FDC6501
  AO3400

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NDS7002A参数

  • 产品培训模块High Voltage Switches for Power ProcessingSMPS Power Switch
  • 标准包装3,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列-
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)60V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C280mA
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C2 欧姆 @ 500mA,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)2.5V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs-
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds50pF @ 25V
  • 功率 - 最大300mW
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
  • 供应商设备封装SOT-23
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称NDS7002ATR