时间：2025/6/29 2:35:56
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BL120N10TD 是一款基于 N 沟道增强型 MOSFET 技术的功率晶体管。该器件具有低导通电阻和快速开关特性，广泛应用于电源管理、电机驱动、负载开关以及其他需要高效功率转换的场景。
BL120N10TD 采用 DPAK（TO-252）封装形式，能够提供出色的散热性能，适用于对功率密度要求较高的设计。其耐压能力为 100V，支持大电流操作，同时具备良好的电气稳定性和可靠性。
最大漏源电压：100V
连续漏极电流：12A
导通电阻（Rds(on)）：8mΩ
栅极电荷：35nC
总功耗：20W
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
BL120N10TD 的主要特性包括以下几点：
1. 高效率：由于其低导通电阻（Rds(on)），可以显著降低传导损耗，提高系统整体效率。
2. 快速开关：小栅极电荷使得该器件在高频开关应用中表现出色，有助于减少开关损耗。
3. 耐热增强封装：DPAK 封装确保了良好的散热性能，允许更高的结温运行。
4. 稳定性高：具备较强的抗雪崩能力和静电防护性能，增强了器件的鲁棒性。
5. 宽工作温度范围：从 -55℃ 到 +175℃ 的宽温度区间使其适用于各种严苛环境下的应用。
BL120N10TD 广泛用于多种功率电子领域，例如：
1. 开关电源（SMPS）
2. DC-DC 转换器
3. 电池管理系统（B电机驱动电路
5. 负载开关与保护电路
6. 工业自动化设备中的功率控制模块
IRFZ44N, FDP18N10L, STP12NF10
