时间：2025/4/28 16:45:12
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NDS351AN-NL是一款N沟道增强型功率MOSFET，采用SOT-23封装形式。该器件广泛用于便携式设备、开关电源、DC-DC转换器以及负载开关等应用中。其低导通电阻和小封装尺寸使其非常适合对空间和效率要求较高的电路设计。
最大漏源电压(Vds)：30V
最大栅源电压(Vgs)：±8V
连续漏极电流(Id)：1.1A
导通电阻(Rds(on))：0.75Ω（在Vgs=4.5V时）
总功耗(Ptot)：460mW
结温范围：-55℃至+150℃
NDS351AN-NL具有非常低的导通电阻，有助于减少导通损耗并提高整体效率。
其小型SOT-23封装节省了PCB板上的空间，同时支持表面贴装技术(SMT)，便于自动化生产。
具备快速开关速度，从而降低开关损耗，并且能够承受较高的瞬态电压。
该器件还具有出色的热稳定性和可靠性，适用于多种工业和消费类电子产品环境。
NDS351AN-NL常用于以下场景：
1. 开关电源中的初级或次级侧开关。
2. 电池供电设备中的负载开关。
3. 便携式电子产品的电源管理模块。
4. DC-DC转换器和电压调节器。
5. 各种保护电路，如过流保护和短路保护。
NDS351AN, BSS123, 2N7000
