时间：2025/8/14 13:21:43
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PJD30N15_L2_00001 是一款由Power Integrations推出的集成MOSFET的电源管理芯片，属于其InnoSwitch?系列。该芯片专为高效、高密度的电源转换应用设计，集成了高压功率MOSFET和次级侧同步整流控制器，支持准谐振反激式拓扑结构。该器件采用了Power Integrations的EcoSmart?技术，能够在各种负载条件下实现高效率运行，并且符合全球节能标准。
类型：集成MOSFET电源管理IC
拓扑结构：准谐振反激式
功率MOSFET耐压：725V
输出电流：30A
输出电压范围：15V
工作频率：可变频率
封装形式：InSOP-24D
效率等级：符合CoC Tier 2和DoE Level VI标准
保护功能：过载保护、过热保护、短路保护、输入欠压保护
PJD30N15_L2_00001 的核心特性之一是其高度集成的设计，将初级侧高压MOSFET与次级侧同步整流控制器集成在单一芯片中，减少了外部元件数量，简化了电源设计。该芯片采用了FluxLink?数字反馈技术，消除了传统光耦反馈电路的需求，从而提高了系统的可靠性和稳定性。此外，其准谐振工作模式可实现零电压开关（ZVS），降低开关损耗并减少电磁干扰（EMI）。芯片支持宽范围的输入电压，适用于全球通用的交流输入电压范围（85VAC至265VAC）。在轻载和空载条件下，芯片可自动进入频率折返和谷值跳频模式，显著降低待机功耗，实现绿色节能。PJD30N15_L2_00001 还具备强大的保护功能，包括过温保护、过载保护、输出短路保护以及输入欠压保护，确保系统在各种异常情况下的安全运行。
PJD30N15_L2_00001 主要应用于高性能电源转换设备，如USB PD电源适配器、智能手机和笔记本电脑的充电器、工业电源、家电电源模块、LED照明驱动电源以及电信和网络设备的电源模块。其高效、高密度和高可靠性的特点使其成为现代高效电源设计的理想选择。
PJD30N15_L2_00002、PJD30N15C_L2_00001、INN3070、INN3072、UCC28780
