NDP505B 时间：2025/8/28 15:01:02 阅读：30

NDP505B 是一款由 ON Semiconductor（安森美半导体）生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛用于需要高效能和低导通电阻的应用场景。该器件具有高耐压、低导通电阻、快速开关速度等特点，适用于电源管理、DC-DC 转换器、负载开关、电机控制等应用领域。NDP505B 采用 TO-220 封装，便于散热并适合工业级应用。

参数

类型：N 沟道 MOSFET
　　最大漏源电压（VDS）：500 V
　　最大漏极电流（ID）：14 A
　　导通电阻（RDS(on)）：0.33 Ω @ VGS = 10 V
　　栅极电荷（Qg）：42 nC
　　功耗（PD）：125 W
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装形式：TO-220

特性

NDP505B 具备多项优良特性，使其在功率电子设计中具有广泛的应用价值。
　　首先，其最大漏源电压（VDS）为 500V，能够承受较高的电压应力，适用于高压开关电路。该器件的最大漏极电流为 14A，能够在较高电流条件下稳定工作。
　　其次，NDP505B 的导通电阻（RDS(on)）仅为 0.33Ω，在 VGS = 10V 的驱动条件下，有助于降低导通损耗，提高系统的整体效率。这一低导通电阻特性也使得该器件在高温环境下仍能保持良好的导电性能。
　　此外，该 MOSFET 的栅极电荷（Qg）为 42nC，意味着其开关速度较快，适用于高频开关应用，如 DC-DC 转换器、开关电源（SMPS）等，有助于减小外部电感和电容的尺寸，提升系统功率密度。
　　NDP505B 的 TO-220 封装形式具备良好的散热性能，适合工业级应用环境，并支持简便的安装和维护。其功耗为 125W，能够在较高的环境温度下稳定运行。
　　在工作温度范围方面，NDP505B 可在 -55°C 至 +150°C 的宽温度范围内工作，具备较强的环境适应能力，适用于各种恶劣工作条件。

应用

NDP505B 广泛应用于多种功率电子系统中。在电源管理系统中，它常用于开关电源（SMPS）和 DC-DC 转换器，实现高效的电能转换与调节。其低导通电阻和快速开关特性使其在这些应用中表现出色。
　　在电机控制领域，NDP505B 可用于 H 桥电路或电机驱动模块，控制直流电机的正反转及调速。其高电流承载能力和耐压能力能够满足电机启动和负载波动的需求。
　　此外，该器件也适用于负载开关、电池管理系统（BMS）、逆变器以及太阳能光伏系统中的功率控制部分。其高可靠性和宽温度适应性使其成为工业自动化、通信设备、家电控制和新能源系统中的理想选择。