类型：N沟道增强型MOSFET
　　最大漏源电压（Vds）：500V
　　最大栅源电压（Vgs）：±30V
　　最大漏极电流（Id）：20A
　　导通电阻（Rds(on)）：0.24Ω（最大）
　　功率耗散（Pd）：180W
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装类型：TO-247

FMV20N50E 的主要特性之一是其高效的功率处理能力。该器件的导通电阻较低，这意味着在导通状态下，它能够提供较小的电压降和较高的电流传输效率，从而减少了功率损耗和热量产生。这种低导通电阻的特性使得 FMV20N50E 非常适合用于高电流应用，如电源供应器、DC-DC转换器以及马达控制器。
　　此外，FMV20N50E 具有较高的最大漏源电压（500V），使其能够承受较高的电压应力，适用于高压电路的设计。其 ±30V 的栅源电压耐受能力也提供了良好的栅极驱动兼容性，允许使用多种类型的驱动电路进行控制。
　　在热性能方面，该器件采用了高散热效率的TO-247封装，能够在高功率工作条件下保持较低的结温。这对于提高系统的可靠性和延长器件的使用寿命至关重要。TO-247封装还提供了良好的机械稳定性和易于安装的特性，适合各种工业应用环境。
　　安全性与可靠性也是 FMV20N50E 的重要特性之一。该器件的工作温度范围广泛，从 -55°C 到 +150°C，使其能够在极端温度条件下正常工作。这一特性对于需要在严苛环境中运行的设备来说非常重要，例如工业自动化设备、户外电源系统等。
　　最后，FMV20N50E 的设计确保了其具备较高的抗静电能力和抗过热能力，从而提高了器件在实际应用中的稳定性。这些特性共同作用，使得 FMV20N50E 成为一款适用于多种高功率电子系统的高性能功率MOSFET。

FMV20N50E 广泛应用于多个领域，特别是在需要高效功率转换和管理的场景中。由于其500V的最大漏源电压和20A的漏极电流能力，它被广泛用于开关电源（SMPS）、AC-DC转换器以及DC-DC转换器的设计中。这类应用常见于服务器电源、通信设备电源和工业控制设备电源中，以实现高效的能量转换和稳定的输出电压。
　　在新能源领域，FMV20N50E 也常用于太阳能逆变器和风力发电系统的功率调节模块。由于其高电压耐受能力和低导通电阻，该器件可以在这些高功率应用中提供高效的能量转换，减少能量损耗并提高整体系统效率。
　　此外，该MOSFET还适用于马达控制和驱动器设计，特别是在工业自动化系统中。例如，它可以用于控制交流或直流马达的速度和扭矩，通过高频开关操作实现精确的控制。这在机器人控制、传送带系统以及其他需要高精度运动控制的设备中非常关键。
　　在电动汽车（EV）充电系统中，FMV20N50E 也被用于充电模块的功率转换部分。它的高耐压和高电流承载能力使其能够满足快速充电对功率器件的要求，同时确保系统的安全性和稳定性。
　　最后，在消费电子领域，FMV20N50E 可用于高端音频放大器和不间断电源（UPS）系统中，提供高效的功率输出和稳定的性能。这些应用场景都需要高可靠性和长寿命的功率器件，而 FMV20N50E 正好满足这些需求。

FQA20N50C, IRF250, 2SK2647, STP20N50