时间：2025/8/24 14:44:09
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NDH8504P是一款由Nexperia（安世半导体）生产的N沟道增强型功率MOSFET，广泛应用于电源管理和开关电路中。该器件采用高性能的Trench沟槽技术，具备较低的导通电阻和优异的开关性能，适用于高效率、高密度的电源转换系统。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（VDS）：40V
栅源电压（VGS）：±20V
连续漏极电流（ID）：150A（在TC=25°C）
导通电阻（RDS(on)）：最大4.5mΩ（在VGS=10V）
工作温度范围：-55°C 至 175°C
封装类型：PowerSO-10
NDH8504P MOSFET采用了先进的Trench沟槽技术，实现了极低的导通电阻（RDS(on)），从而降低了导通损耗，提高了整体效率。
该器件的高电流容量（ID为150A）使其适用于高功率密度设计，例如DC-DC转换器、电机驱动器和电池管理系统。
其栅极驱动电压范围较宽（可支持VGS=10V或VGS=4.5V），适用于多种驱动电路配置，提高了设计灵活性。
此外，NDH8504P具有良好的热稳定性和可靠性，在高温环境下仍能保持稳定运行，适用于工业级和汽车电子应用。
该器件采用PowerSO-10封装，具有良好的散热性能和空间利用率，适合在紧凑型电源模块中使用。
NDH8504P广泛应用于多个领域，包括但不限于：
1. 同步整流DC-DC转换器，用于提高转换效率并减小系统尺寸。
2. 电机驱动电路，适用于工业自动化和机器人控制系统。
3. 电池管理系统（BMS）和电动车辆（EV/HEV）的功率控制单元。
4. 负载开关和电源管理模块，如服务器、通信设备和嵌入式系统中的高效率电源设计。
5. 高频开关电源（SMPS）和其他需要高电流、低导通损耗的功率转换系统。
SiSSPM4, NVTFS5C471NL, FDS6680, IRF6717
