时间：2025/5/8 13:31:41
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PMEG100V100ELPD 是一款 N 沟道增强型功率 MOSFET，采用 STMicroelectronics 公司的先进工艺制造。该器件专为高效率、低损耗的应用场景设计，具有较低的导通电阻和较高的开关速度。其最大耐压为 100V，适用于各种工业和消费类电子应用中的电源管理及电机驱动领域。
该芯片主要面向高效能要求的电路设计，能够显著降低导通损耗和开关损耗，从而提高整体系统效率。
最大漏源电压：100V
连续漏极电流：36A
导通电阻（Rds(on)）：7.5mΩ（典型值，在 Vgs=10V 时）
栅极电荷：48nC（典型值）
总电容（Ciss）：2940pF（典型值）
工作结温范围：-55°C 至 +175°C
封装形式：TO-247
PMEG100V100ELPD 的主要特点是具备极低的导通电阻，这使得它非常适合需要高效率和低功耗的场合。此外，其快速开关特性和稳健的电气性能使其成为许多功率转换应用的理想选择。
1. 超低导通电阻确保在高电流应用中减少发热和能量损耗。
2. 高速开关能力有助于降低开关损耗并提升频率灵活性。
3. 强大的热稳定性支持在极端温度条件下的可靠运行。
4. 封装设计优化散热性能，可满足高功率密度需求。
总体而言，这款 MOSFET 在性能、可靠性和易用性之间实现了良好的平衡。
该器件广泛应用于多种功率转换和控制领域，例如开关电源 (SMPS)、DC-DC 转换器、电机驱动器、逆变器、不间断电源 (UPS) 和电池管理系统 (BMS) 等。由于其出色的电气性能和散热能力，PMEG100V100ELPD 特别适合于以下具体应用：
- 工业自动化设备中的功率级管理。
- 电动车和混合动力汽车中的牵引逆变器。
- 太阳能微逆变器中的功率转换模块。
- 高效 DC-DC 转换器以实现负载点调节。
其强大的电流承载能力和低 Rds(on) 值还使其成为大功率 LED 驱动器的理想解决方案。
PMEG100V100ELH, IRF1405Z, FDP15N10E
