HN1B01F-Y 时间：2025/5/8 14:15:40 阅读：15

HN1B01F-Y 是一款基于霍尔效应的线性霍尔传感器芯片，广泛应用于磁场检测、电流测量和位置感应等领域。该芯片具有高灵敏度、低噪声和宽工作电压范围的特点，能够精确地将磁场强度转换为对应的模拟输出电压。其封装形式通常为 SOT-23，适合表面贴装工艺，适用于对空间要求较高的设计。

参数

工作电压：3.8V~30V
　　静态工作电流：7mA
　　灵敏度：2.5mV/Gauss（典型值）
　　温度范围：-40℃~150℃
　　带宽：8kHz
　　输出阻抗：10Ω
　　响应时间：10μs
　　封装形式：SOT-23

特性

HN1B01F-Y 采用先进的 BiCMOS 工艺制造，具备卓越的温度稳定性和长期可靠性。芯片内部集成有误差补偿电路，可以有效减少由于温度变化引起的漂移问题。
　　该器件支持双向磁场检测，可适应复杂的磁路设计需求。同时，其宽泛的工作电压范围使其在汽车电子、工业控制和消费类电子产品中均能稳定运行。
　　此外，HN1B01F-Y 提供了较宽的线性输出范围，便于与后续信号处理电路无缝连接，进一步简化系统设计。

应用

HN1B01F-Y 广泛用于各种需要精确磁场检测的应用场景，例如：
　　1. 汽车电机换向控制中的转子位置检测
　　2. 工业设备中的非接触式电流传感器
　　3. 消费类电子产品的角度或位移测量
　　4. 家电产品中的液位检测或流量监控
　　5. 医疗设备中的微小位移或角度测量
　　凭借其高性能和灵活性，HN1B01F-Y 成为许多精密测量系统的理想选择。