时间：2025/8/25 3:17:17
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NDB408B 是一款由 ON Semiconductor（安森美半导体）生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件广泛应用于电源管理、开关电源、DC-DC 转换器、负载开关以及电机控制等高效率功率转换系统中。NDB408B 采用先进的沟槽工艺技术制造，具有较低的导通电阻（Rds(on)）和较高的电流承载能力，有助于降低功率损耗并提高系统效率。该器件封装为 DPAK（TO-252），便于散热和安装，适用于表面贴装工艺。
类型：N 沟道 MOSFET
漏源电压（Vds）：60 V
栅源电压（Vgs）：±20 V
连续漏极电流（Id）：60 A（@25°C）
导通电阻 Rds(on)：3.2 mΩ（@Vgs=10V）
功率耗散（Pd）：160 W
工作温度范围：-55°C ~ 175°C
封装：DPAK（TO-252）
NDB408B 的主要特性之一是其极低的导通电阻（Rds(on)），在 Vgs=10V 时仅为 3.2 mΩ，这使得在高电流应用中能够显著降低传导损耗，提升整体系统效率。此外，该器件具有高电流承载能力，能够在连续工作条件下支持高达 60A 的漏极电流，适用于大功率负载的开关控制。
其采用的沟槽式 MOSFET 结构优化了电场分布，增强了器件的雪崩耐受能力，提高了工作可靠性和耐用性。NDB408B 还具备良好的热稳定性，能够在高达 175°C 的结温下稳定运行，适用于高温工作环境。
该器件的 DPAK 封装具有良好的热性能，便于与散热片或 PCB 直接连接以实现高效散热。其表面贴装封装形式也便于自动化生产和 PCB 布局，适用于工业电源、电动工具、电动车控制器、DC-DC 转换器等应用领域。
另外，NDB408B 的栅极驱动电压范围宽，支持标准逻辑电平驱动（如 10V 驱动电压），兼容常见的 MOSFET 驱动器和控制器芯片，方便系统集成。
NDB408B 主要用于中高功率 DC-DC 转换器和同步整流电路中，作为主开关或同步整流开关使用，以实现高效的能量转换。该器件也广泛应用于电源管理系统，如电池充电器、负载开关和电源分配模块，能够有效控制大电流负载的开启与关闭。
在电机控制和电动工具中，NDB408B 可用于 H 桥电路或 PWM 控制电路中，作为高效功率开关驱动电机运转。其低导通电阻和高电流能力也使其适用于电动车控制器、无人机动力系统等高功率密度应用。
此外，NDB408B 还可用于工业自动化设备、UPS（不间断电源）、电信电源模块等需要高效、可靠功率开关的场合。
[
"NDS408B",
"NTB408N",
"FDMS408",
"SiS448DN",
"IRFZ44N"
]
