类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（Vds）：200V
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id）@25℃：90A
　　导通电阻（Rds(on)）：@4.5V=7.5mΩ（最大）
　　导通阈值电压（Vgs(th)）：1.5V~3.5V
　　功耗（Pd）：160W
　　工作温度范围：-55℃~150℃
　　封装形式：TO-252（DPAK）

NCEP090N20LL 具备多项优良特性，适用于高效率功率转换应用。首先，其低导通电阻（Rds(on)）为7.5mΩ，显著降低了导通损耗，提高了整体系统的能效。其次，该MOSFET采用了先进的沟槽式结构设计，提高了电流承载能力和开关速度，从而降低了开关损耗。
　　此外，NCEP090N20LL 的最大漏源电压为200V，适用于多种中高压电源应用，如工业电源、电机控制、逆变器和电池管理系统等。其高栅极电压耐受能力达到±20V，增强了在复杂电气环境中的稳定性和可靠性。
　　该器件采用TO-252（DPAK）封装，具备良好的散热性能，能够在较高功率下稳定运行。其工作温度范围广泛（-55℃至150℃），适用于严苛的工业环境。同时，该MOSFET具备良好的短路和过热保护能力，提升了系统的整体稳定性。
　　综合来看，NCEP090N20LL 是一款性能优异、可靠性高的功率MOSFET，特别适用于需要高效率、高可靠性的电源系统设计。

NCEP090N20LL 主要应用于各类中高压功率电子系统中。例如，在DC-DC转换器中，它可作为主开关器件，实现高效率的能量转换；在电机驱动电路中，可用于控制大功率电机的运行状态，提供稳定的输出性能。
　　该器件也广泛用于电源管理系统，如服务器电源、通信电源、工业电源等，作为关键的功率开关元件，提升整体系统的能效和稳定性。此外，在电池管理系统（BMS）中，NCEP090N20LL 可用作充放电控制开关，确保电池组的安全运行。
　　由于其高耐压特性和低导通电阻，该MOSFET也适用于光伏逆变器、UPS不间断电源、智能电表以及各类工业控制设备。其高可靠性使其在汽车电子、新能源等领域也具有广泛的应用潜力。

IXFN90N20、IRF1405、SiHH090N20A、SiHF090N20E、FDP090N20