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VNP49N04E 发布时间 时间:2025/7/22 21:48:02 查看 阅读:6

VNP49N04E 是一款由意法半导体(STMicroelectronics)生产的N沟道增强型功率MOSFET,主要用于高电流开关应用。该器件采用先进的沟槽式MOSFET技术,提供低导通电阻和高效率的开关性能,适用于电机控制、电源管理和汽车电子等需要高可靠性和高性能的场合。

参数

类型:N沟道
  漏源电压(VDS):40V
  漏极电流(ID):160A(在25°C)
  导通电阻(RDS(on)):4.9mΩ(最大值,VGS=10V)
  栅极电压(VGS):±20V
  功率耗散:300W
  封装类型:TO-220
  工作温度范围:-55°C 至 175°C

特性

VNP49N04E 具有极低的导通电阻,这有助于减少导通状态下的功率损耗,提高系统效率。该器件采用先进的沟槽式技术,优化了导通性能和热管理能力,使其能够在高电流负载下保持稳定运行。
  此外,VNP49N04E 具有良好的热稳定性和高耐用性,适合在严苛的工业和汽车环境中使用。其封装形式为TO-220,便于安装和散热,同时也提供了良好的机械强度。
  该MOSFET的栅极驱动设计兼容标准逻辑电平,使其能够与多种控制电路直接连接,简化了驱动电路的设计。同时,该器件具备较高的短路耐受能力,增强了在异常工况下的可靠性。
  值得一提的是,VNP49N04E 还具备较低的开关损耗,使其在高频开关应用中表现出色,适用于DC-DC转换器、电机驱动和负载开关等应用场景。

应用

VNP49N04E 主要用于高电流开关和功率管理应用,例如电机控制、电动车电池管理系统、工业自动化设备和高功率电源模块。此外,该器件也广泛应用于汽车电子系统,如电动助力转向系统(EPS)、车载充电器和电池保护电路等场景。

替代型号

IRF1405, IPW49N04C, FDP49N04

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