时间：2025/7/22 21:48:02
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VNP49N04E 是一款由意法半导体（STMicroelectronics）生产的N沟道增强型功率MOSFET，主要用于高电流开关应用。该器件采用先进的沟槽式MOSFET技术，提供低导通电阻和高效率的开关性能，适用于电机控制、电源管理和汽车电子等需要高可靠性和高性能的场合。
类型：N沟道
漏源电压（VDS）：40V
漏极电流（ID）：160A（在25°C）
导通电阻（RDS(on)）：4.9mΩ（最大值，VGS=10V）
栅极电压（VGS）：±20V
功率耗散：300W
封装类型：TO-220
工作温度范围：-55°C 至 175°C
VNP49N04E 具有极低的导通电阻，这有助于减少导通状态下的功率损耗，提高系统效率。该器件采用先进的沟槽式技术，优化了导通性能和热管理能力，使其能够在高电流负载下保持稳定运行。
此外，VNP49N04E 具有良好的热稳定性和高耐用性，适合在严苛的工业和汽车环境中使用。其封装形式为TO-220，便于安装和散热，同时也提供了良好的机械强度。
该MOSFET的栅极驱动设计兼容标准逻辑电平，使其能够与多种控制电路直接连接，简化了驱动电路的设计。同时，该器件具备较高的短路耐受能力，增强了在异常工况下的可靠性。
值得一提的是，VNP49N04E 还具备较低的开关损耗，使其在高频开关应用中表现出色，适用于DC-DC转换器、电机驱动和负载开关等应用场景。
VNP49N04E 主要用于高电流开关和功率管理应用，例如电机控制、电动车电池管理系统、工业自动化设备和高功率电源模块。此外，该器件也广泛应用于汽车电子系统，如电动助力转向系统（EPS）、车载充电器和电池保护电路等场景。
IRF1405, IPW49N04C, FDP49N04
