NCE30H10G 时间：2025/5/10 14:32:19 阅读：11

NCE30H10G是一种基于氮化镓（GaN）技术的高效功率晶体管，专为高频和高效率应用设计。该器件采用增强型场效应晶体管（e-mode FET）结构，具备低导通电阻和快速开关特性，适用于电源管理、DC-DC转换器、无线充电以及其他需要高性能功率转换的应用场景。
　　该型号属于宽禁带半导体产品系列，能够显著提高系统的功率密度并降低能量损耗。

参数

最大漏源电压：600V
　　连续漏极电流：30A
　　导通电阻：10mΩ
　　栅极电荷：50nC
　　开关速度：>2MHz
　　结温范围：-55℃至+175℃

特性

NCE30H10G具有非常低的导通电阻（Rds(on)），这使得其在高电流应用场景下的功耗更低。同时，由于采用了GaN材料，它支持更高的开关频率，从而减小了外部无源元件的尺寸，进一步提升了整体解决方案的空间利用率。
　　此外，这款器件还拥有出色的热稳定性和可靠性，能够在极端温度条件下保持性能一致性。它的零反向恢复电荷特性消除了传统硅基MOSFET中的反向恢复损耗问题，非常适合硬开关和软开关拓扑结构。

应用

NCE30H10G广泛应用于各种高效率电力电子系统中，例如服务器电源、通信基站电源、电动车车载充电器（OBC）、太阳能微型逆变器以及USB-PD快充适配器等。
　　其高频特性也使其成为无线充电发射端的理想选择，尤其是在需要小型化设计和高功率传输的情况下。另外，在数据中心和电信设备领域，该器件有助于实现更高功率密度的AC-DC和DC-DC转换模块。