容量：8Gb
　　类型：LPDDR4
　　封装类型：BGA
　　工作电压：1.1V / 1.8V
　　数据速率：3200Mbps
　　位宽：x32
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C

H5AN8G4NAFR-VJC 具备多个显著的技术特性，首先是其采用了LPDDR4（低功耗双倍数据速率第四代）标准，使其在保证高速数据传输的同时，能够有效降低功耗，延长设备电池寿命。
　　其次，该芯片的数据传输速率高达3200Mbps，支持快速的数据读写操作，适用于图像处理、视频流传输以及多任务处理等高性能需求的应用场景。同时，其x32位宽设计，提高了数据吞吐能力，有助于提升整体系统性能。
　　该芯片采用BGA封装技术，确保了良好的电气性能和稳定性，适用于高密度PCB布局，并具有良好的散热性能。此外，H5AN8G4NAFR-VJC 的工作温度范围为-40°C至+85°C，使其能够在工业级环境中稳定运行，适用于工业控制、车载系统等严苛工作条件下的设备。
　　这款DRAM芯片还支持多种低功耗模式，包括自刷新模式（Self-Refresh Mode）和深度掉电模式（Deep Power-Down Mode），在设备待机或低负载状态下可以有效减少能耗。

H5AN8G4NAFR-VJC 主要应用于高性能移动设备，如智能手机、平板电脑、可穿戴设备等，其低功耗和高速特性使其成为移动计算平台的理想选择。此外，该芯片也广泛用于嵌入式系统、工业自动化设备、网络设备、消费类电子产品以及汽车电子系统中。
　　在智能手机领域，H5AN8G4NAFR-VJC 可作为主内存使用，支持多任务处理、高清视频播放、大型游戏运行等场景。在工业自动化和汽车电子中，其宽温范围和高稳定性确保在极端环境下仍能可靠运行。对于嵌入式系统和网络设备而言，其高速数据传输能力和低功耗设计有助于提升系统响应速度和能效比。

H5AN8G4NAFR-VKC, H5AN8G4NAFR-VDB, H5AN8G4NAFR-VDN