RB751S-40T1 时间：2025/8/13 7:46:09 阅读：20

RB751S-40T1 是由 Rohm（罗姆）公司生产的一款双串联肖特基势垒二极管（Schottky Barrier Diode），适用于高频、低功耗应用。该器件采用小型表面贴装封装（SOD-523），适合在空间受限的电路设计中使用。RB751S-40T1 的最大反向电压为 40V，正向电流为 100mA，具有较低的正向压降（VF）和快速恢复时间（trr），适用于电源管理、信号处理和电池供电设备等应用场景。

参数

最大反向电压（VR）：40V
　　正向电流（IF）：100mA
　　峰值正向电流（IFSM）：500mA
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装类型：SOD-523
　　正向压降（VF）：最大 0.45V @ 100mA
　　反向漏电流（IR）：最大 100nA @ 40V
　　恢复时间（trr）：5ns（最大）

特性

RB751S-40T1 采用肖特基势垒结构，具有极低的正向压降（VF），通常在 0.3V 至 0.45V 之间，这有助于降低功率损耗并提高电路效率。其快速恢复时间（trr）仅为 5ns，适用于高频整流和开关应用。该器件的封装为 SOD-523，尺寸小巧，便于在高密度 PCB 布局中使用。此外，RB751S-40T1 具有良好的热稳定性和可靠性，在 -55°C 至 +150°C 的宽温度范围内均可稳定工作。
　　作为双串联二极管，RB751S-40T1 内部包含两个独立的肖特基二极管，可用于双向信号处理或独立的整流电路。其反向漏电流较低（最大 100nA），可有效减少静态功耗，适用于电池供电设备和低功耗系统。由于其优异的高频响应特性，该器件也广泛用于射频（RF）信号整流和检波电路中。
　　从制造工艺上看，RB751S-40T1 采用了先进的硅外延技术，确保了器件的一致性和稳定性。其表面贴装封装方式适用于自动化生产流程，提高了生产效率并降低了制造成本。此外，该器件符合 RoHS 环保标准，无铅且无卤素，适用于绿色环保电子产品。

应用

RB751S-40T1 广泛应用于多种电子设备和系统中，包括电源管理模块、DC-DC 转换器、负载开关、电池充电电路、信号整流与检波电路、射频前端模块以及便携式消费电子产品等。在电源管理领域，该器件可用于低电压整流和反向保护，提高系统的能效和可靠性。在射频应用中，RB751S-40T1 的快速恢复特性和低 VF 使其成为理想的检波二极管。此外，由于其小型封装和低功耗特性，RB751S-40T1 也常用于智能手机、平板电脑、穿戴设备和物联网（IoT）设备中的电源和信号路径管理。