类型：N沟道增强型MOSFET
　　最大漏极电压（Vds）：80V
　　最大栅极电压（Vgs）：±20V
　　最大连续漏极电流（Id）：20A
　　导通电阻（Rds(on)）：@Vgs=10V时≤4.5mΩ，@Vgs=4.5V时≤6.5mΩ
　　功耗（Pd）：80W
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装形式：TO-252（DPAK）

NCE20ND08U MOSFET具备多项优异的电气和热性能，首先其低导通电阻可显著降低导通损耗，提高系统效率，尤其适用于高频开关应用。其次，该器件的高电流承载能力确保在大负载条件下仍能稳定工作，不会因过热而失效。
　　此外，NCE20ND08U采用了先进的沟槽式工艺技术，使其在低栅极电压下也能实现良好的导通性能，支持4.5V至10V的栅极驱动电压范围，兼容多种常见的驱动IC。该MOSFET具有良好的热稳定性，在高功率密度应用中表现出色。
　　在封装方面，TO-252（DPAK）封装不仅提供了良好的散热性能，还具有较小的封装体积，适用于紧凑型电源设计。同时，该封装形式便于手工焊接和自动化生产，提高了应用的灵活性与可靠性。
　　该器件的栅极采用了静电保护二极管设计，增强了抗静电能力，提高了器件在实际应用中的可靠性。此外，其高雪崩能量承受能力确保在异常工作条件下也能保持稳定运行。

NCE20ND08U 广泛应用于各类电源管理系统中，例如DC-DC降压/升压转换器、同步整流器、负载开关、电机驱动器、LED驱动电源、电池充电管理电路以及工业自动化控制系统等。
　　在通信设备中，该MOSFET可用于电源模块的开关控制，以提高整体效率和稳定性。在新能源领域，如太阳能逆变器、储能系统和电动汽车电池管理系统中，NCE20ND08U 可作为高效率的功率开关器件使用。
　　此外，该器件也适用于家电控制板、智能电表、工业电机控制以及智能照明系统等需要高效、稳定功率控制的场景。

SiHF20N80C、IPB20N80CF、FQA20N80C