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MMBT4403-7-F 发布时间 时间:2025/12/26 3:42:07 查看 阅读:20

MMBT4403-7-F是一款由Diodes Incorporated生产的表面贴装小信号P沟道晶体管,采用SOT-23(SC-59)封装。该器件专为通用放大和开关应用设计,具有高增益和快速开关特性,适用于便携式电子设备、电源管理电路以及数字逻辑接口等场景。MMBT4403-7-F是JEDEC标准兼容的产品,符合无铅(Pb-free)和RoHS环保要求,适合自动化贴片生产线使用。其结构基于先进的平面技术制造,确保了稳定可靠的电气性能与良好的热稳定性。该晶体管在关断状态下能够承受较高的集电极-发射极电压,并在导通时提供较低的饱和压降,从而有效提升系统效率。由于其小型化封装和高性能表现,MMBT4403-7-F广泛应用于消费类电子产品如智能手机、平板电脑、LED驱动电路、DC-DC转换器及各类控制电路中作为开关元件或电平转换器件。
  该型号中的“MMBT”表示其为通用小信号晶体管系列,“4403”为具体型号标识,“-7-F”代表包装形式为带状编带,适用于高速贴片机取放。其PNP极性使其在负逻辑驱动或高边开关配置中表现出色。通过优化掺杂工艺和金属接触设计,该器件具备较低的基极驱动电流需求,增强了系统的驱动兼容性。此外,它还具备优良的温度稳定性,在宽温度范围内保持一致的增益特性和开关响应速度,适合工业级工作环境。

参数

类型:P沟道
  封装/外壳:SOT-23 (SC-59)
  晶体管极性:PNP
  最大集电极-发射极电压(VCEO):-40V
  最大发射极-基极电压(VEBO):-5V
  最大集电极电流(IC):-600mA
  最大功耗(Ptot):225mW @ 75°C
  直流电流增益(hFE):最小100(@ IC = -150mA, VCE = -1V)
  最大饱和电压(VCE(sat)):-0.4V(@ IC = -500mA, IB = -50mA)
  工作结温范围:-55°C 至 +150°C
  过渡频率(fT):200MHz
  安装类型:表面贴装(SMT)

特性

MMBT4403-7-F具备优异的开关性能和高电流增益,适用于高频开关和模拟放大应用。其典型直流电流增益(hFE)在中等电流条件下可达100以上,并在整个工作电流范围内保持良好线性度,有助于减少信号失真并提高放大电路的稳定性。该器件的过渡频率高达200MHz,意味着其能够在较高频率下仍维持有效的电流放大能力,适合用于射频前端或高速数字缓冲电路。其低饱和压降特性使得在用作开关时能显著降低功率损耗,尤其在电池供电设备中可延长续航时间。SOT-23封装具有紧凑尺寸(约2.8mm x 1.6mm x 1.45mm),便于实现高密度PCB布局,同时具备良好的散热性能,确保长时间运行下的可靠性。
  该晶体管对静电放电(ESD)具有一定的耐受能力,提升了生产装配过程中的良品率。其内部结构经过优化设计,减少了寄生电容和引线电感,提高了高频响应能力和抗干扰性能。此外,MMBT4403-7-F在不同温度条件下的参数漂移较小,保证了系统在极端环境下的稳定运行。器件符合AEC-Q101车规级可靠性测试标准的部分要求,因此也可用于汽车电子中的非关键控制模块。其材料组成不含卤素,符合现代绿色电子产品的发展趋势。整体而言,这款晶体管以其高性能、小尺寸和高可靠性,成为众多设计工程师在选择替代传统TO-92封装器件时的理想方案之一。

应用

MMBT4403-7-F广泛应用于各类需要高效开关或信号放大的电子系统中。常见用途包括便携式消费类电子产品中的电源开关控制,例如手机、耳机充电盒、智能手表等设备的负载开关或背光驱动电路。在DC-DC转换器中,它可用于反馈回路中的电平移位或驱动PMOS同步整流管的辅助电路。该器件也常被用于逻辑电平转换器,将微控制器输出的3.3V或5V信号转换为更高电压域所需的控制信号,尤其适用于混合电压系统中的接口匹配。
  此外,它还可作为音频前置放大器、传感器信号调理电路中的增益单元,或者在继电器驱动、LED调光电路中充当开关角色。由于其快速响应特性,也被用于脉冲宽度调制(PWM)控制场合。在工业控制系统中,该晶体管可用于隔离驱动电路或光电耦合器的输入级放大。其小型化封装特别适合空间受限的应用场景,如可穿戴设备、物联网节点、无线传感器网络等。在汽车电子领域,可用于车身控制模块中的灯光控制、风扇驱动或按钮输入检测电路。总之,凡需P沟道晶体管进行开关或放大功能的设计,MMBT4403-7-F均是一个可靠且经济的选择。

替代型号

BC807-40, BC327-40, FMMT4403, ZTX4403, DMMT4403

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MMBT4403-7-F产品

MMBT4403-7-F参数

  • 标准包装3,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭晶体管(BJT) - 单路
  • 系列-
  • 晶体管类型PNP
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大)600mA
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大)40V
  • Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大)750mV @ 50mA,500mA
  • 电流 - 集电极截止(最大)-
  • 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)100 @ 150mA,2V
  • 功率 - 最大300mW
  • 频率 - 转换200MHz
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
  • 供应商设备封装SOT-23-3
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称MMBT4403-FDITR