NB679GD-P 时间：2025/8/20 0:36:53 阅读：6

NB679GD-P是一款由Nexperia公司生产的双极型晶体管（BJT），属于NPN型晶体管。该晶体管专为高频和低噪声应用而设计，广泛应用于射频（RF）放大器、低噪声前置放大器以及需要高增益和良好高频响应的电路中。NB679GD-P采用小型化的SOT-89封装，具有良好的热性能和稳定性，适合在多种电子设备中使用，例如通信设备、消费电子产品和工业控制系统。该晶体管的高频率响应和低噪声特性使其成为高性能模拟电路的理想选择。

参数

晶体管类型：NPN
　　最大集电极-发射极电压（VCEO）：30V
　　最大集电极电流（IC）：100mA
　　最大功耗（PD）：300mW
　　频率范围：100MHz
　　电流增益（hFE）：110-800（根据不同等级）
　　噪声系数（NF）：1dB（典型值）
　　工作温度范围：-55°C至+150°C
　　封装类型：SOT-89

特性

NB679GD-P晶体管具有多项显著的特性，使其在高频和低噪声应用中表现出色。首先，该晶体管的最大集电极-发射极电压（VCEO）为30V，能够承受较高的电压，适用于多种电源条件下的电路设计。其最大集电极电流为100mA，足以满足大多数低功耗放大器的需求。此外，NB679GD-P的最大功耗为300mW，确保在高频率操作下仍能保持良好的稳定性。
　　该晶体管的工作频率范围可达100MHz，适合用于射频放大和高频信号处理。其电流增益（hFE）范围为110-800，具体值取决于不同等级的划分，设计者可以根据实际需求选择合适的晶体管版本。NB679GD-P的噪声系数为1dB（典型值），在低噪声放大器中表现出色，能够有效减少信号传输中的噪声干扰，提高信号质量。
　　在温度适应性方面，NB679GD-P可以在-55°C至+150°C的宽温度范围内正常工作，适合在极端环境条件下使用。SOT-89封装不仅提供了良好的热性能，还使得晶体管能够轻松集成到紧凑的电路板设计中。

应用

NB679GD-P晶体管广泛应用于多个领域，特别是在需要高频响应和低噪声性能的电路中。其最常见的应用之一是作为射频（RF）放大器，用于无线通信设备、广播接收器和射频信号处理系统。由于其低噪声系数，NB679GD-P也常用于低噪声前置放大器，以提高接收信号的清晰度和灵敏度。
　　此外，NB679GD-P还可用于模拟电路中的增益级放大器，提供稳定的信号放大功能。它在消费类电子产品中的应用包括音频放大器、电视机调谐器和无线遥控设备。在工业控制系统中，NB679GD-P可用于传感器信号放大和数据采集系统的前端处理。其高频率特性和稳定性也使其成为测试仪器和测量设备中的理想选择。