时间：2025/6/5 11:19:12
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GA0603H272KBAAR31G 是一款由安森美（onsemi）生产的高压 MOSFET 芯片，广泛应用于高功率开关、电机驱动和电源管理等场景。该器件采用了先进的半导体制造工艺，具备出色的耐压性能和低导通电阻，能够显著提高系统效率并降低功耗。
其封装形式为 TO-247-3L，具有较高的散热性能，适合在工业级和汽车级应用中使用。
最大漏源电压：800V
连续漏极电流：3.9A
导通电阻（典型值）：0.55Ω
栅极电荷：46nC
输入电容：1400pF
总功耗：130W
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
GA0603H272KBAAR31G 具备以下主要特性：
1. 高耐压能力，支持高达 800V 的漏源电压，适用于高压环境下的开关操作。
2. 低导通电阻设计，典型值仅为 0.55Ω，有效减少导通状态下的能量损耗。
3. 快速开关速度，配合较低的栅极电荷，可以实现高效的高频开关应用。
4. 工业级工作温度范围，能够在极端条件下稳定运行，适应各种恶劣环境。
5. 符合 RoHS 标准，环保且安全可靠。
6. 封装采用 TO-247-3L，提供卓越的热管理和电气连接性能。
该芯片适用于多种高功率应用场景，包括但不限于：
1. 开关电源 (SMPS) 和 DC-DC 转换器。
2. 电机驱动与控制电路。
3. 太阳能逆变器和其他可再生能源设备。
4. 电磁阀和继电器驱动。
5. 汽车电子中的负载开关和保护电路。
6. 工业自动化设备中的功率转换模块。
GA0603H272KBARR31G, FCH06N80F, IRFP460
