类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压(Vds)：650V
　　漏极电流(Id)：7A（最大）
　　导通电阻(Rds(on))：1.3Ω（典型值）
　　栅极电压(Vgs)：±20V
　　工作温度范围：-55℃ ~ +150℃
　　封装形式：TO-220/TO-251/TO-252等

CS7N65 A4R 的核心特性在于其出色的耐压能力和导通性能。其650V的漏源耐压使其适用于高电压应用环境，如开关电源中的初级侧开关以及马达驱动器。该器件的导通电阻为1.3Ω，在同类产品中处于较低水平，有助于降低导通损耗，提高系统效率。
　　此外，CS7N65 A4R 具有良好的热稳定性和可靠性，能够在高温环境下稳定工作，适用于工业级应用。该器件的栅极电压范围为±20V，具备较强的抗干扰能力，同时支持快速开关操作，减少了开关损耗。
　　在封装方面，CS7N65 A4R 提供了多种封装形式，如TO-220、TO-251和TO-252，便于根据不同的应用场景进行选择和安装。这些封装形式不仅有助于散热，还能满足不同PCB布局的需求，提高设计灵活性。
　　该MOSFET还具备较强的抗雪崩能力，能够在异常工作条件下提供一定的保护功能，增强系统的稳定性和安全性。

CS7N65 A4R 主要应用于高电压、高功率的电子系统中，如开关电源（SMPS）、电机驱动器、逆变器、LED照明电源、工业自动化设备以及家电控制电路等。在开关电源中，CS7N65 A4R 作为主开关器件，负责将输入的直流电压转换为高频交流电压，以提高电源转换效率；在电机控制系统中，它常用于H桥电路中，实现电机的正反转控制和调速功能；在LED照明系统中，该器件则可用于恒流驱动电路，确保LED灯珠稳定工作；此外，CS7N65 A4R 还可用于不间断电源（UPS）、光伏逆变器等新能源相关设备中，提供高效的电力转换解决方案。

FQP7N65C, IRF7N65F, STW7N65M2