时间：2025/7/23 13:44:12
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SMTPB200是一款广泛用于电源管理领域的功率MOSFET器件，属于N沟道增强型晶体管，适用于高电流、高效率的开关应用。该器件由STMicroelectronics公司生产，具备优良的导通特性和低导通电阻。其设计旨在满足高功率密度和低损耗的需求，适用于DC-DC转换器、电源开关、电机控制以及电池管理系统等应用。
类型：N沟道
最大漏极电流（ID）：200A
最大漏源电压（VDS）：60V
最大栅源电压（VGS）：±20V
导通电阻（RDS(on)）：典型值为1.75mΩ（在VGS=10V）
功率耗散（PD）：300W
工作温度范围：-55°C至175°C
封装类型：PowerFLAT 5x6或类似高性能封装
技术：TrenchFET技术提供更优的开关性能
SMTPB200采用先进的TrenchFET技术，提供极低的导通电阻和卓越的开关性能，从而减少能量损耗并提高整体效率。其高电流承载能力使其适用于高功率应用，如电动汽车、工业电源和服务器电源。此外，该器件具备良好的热稳定性，能够在高温环境下稳定运行，提高了系统的可靠性。SMTPB200的栅极驱动设计优化，使其在高频开关操作中表现优异，有助于减小外围元件尺寸并提升系统效率。此外，该MOSFET还具备良好的短路耐受能力，提升了在严苛工况下的安全性。
SMTPB200的封装设计优化了散热性能，确保在高负载条件下仍能保持较低的结温，从而延长器件寿命。它还具备良好的抗雪崩能力，可在高能量脉冲环境下稳定运行。该器件符合RoHS环保标准，适合绿色电子产品的设计需求。
SMTPB200广泛应用于各类高功率电子系统中，包括DC-DC转换器、同步整流器、电机驱动、电池管理系统（BMS）、不间断电源（UPS）、服务器电源、工业自动化设备以及电动汽车的功率控制系统。此外，它也适用于需要高效能开关的消费类电子产品和工业控制设备。
STP200N6F6AG | STP200N6F6A | IPW60R017C7 | IRFB4110 | SiR340DP
