SMTPB200是一款广泛用于电源管理领域的功率MOSFET器件,属于N沟道增强型晶体管,适用于高电流、高效率的开关应用。该器件由STMicroelectronics公司生产,具备优良的导通特性和低导通电阻。其设计旨在满足高功率密度和低损耗的需求,适用于DC-DC转换器、电源开关、电机控制以及电池管理系统等应用。
类型:N沟道
最大漏极电流(ID):200A
最大漏源电压(VDS):60V
最大栅源电压(VGS):±20V
导通电阻(RDS(on)):典型值为1.75mΩ(在VGS=10V)
功率耗散(PD):300W
工作温度范围:-55°C至175°C
封装类型:PowerFLAT 5x6或类似高性能封装
技术:TrenchFET技术提供更优的开关性能
SMTPB200采用先进的TrenchFET技术,提供极低的导通电阻和卓越的开关性能,从而减少能量损耗并提高整体效率。其高电流承载能力使其适用于高功率应用,如电动汽车、工业电源和服务器电源。此外,该器件具备良好的热稳定性,能够在高温环境下稳定运行,提高了系统的可靠性。SMTPB200的栅极驱动设计优化,使其在高频开关操作中表现优异,有助于减小外围元件尺寸并提升系统效率。此外,该MOSFET还具备良好的短路耐受能力,提升了在严苛工况下的安全性。
SMTPB200的封装设计优化了散热性能,确保在高负载条件下仍能保持较低的结温,从而延长器件寿命。它还具备良好的抗雪崩能力,可在高能量脉冲环境下稳定运行。该器件符合RoHS环保标准,适合绿色电子产品的设计需求。
SMTPB200广泛应用于各类高功率电子系统中,包括DC-DC转换器、同步整流器、电机驱动、电池管理系统(BMS)、不间断电源(UPS)、服务器电源、工业自动化设备以及电动汽车的功率控制系统。此外,它也适用于需要高效能开关的消费类电子产品和工业控制设备。
STP200N6F6AG | STP200N6F6A | IPW60R017C7 | IRFB4110 | SiR340DP