时间：2025/8/20 2:31:35
阅读：25
NB650AGL-P是一款由ON Semiconductor（安森美半导体）生产的双极型晶体管（BJT），属于NPN型晶体管。该晶体管专为高频率应用设计，适用于射频（RF）和微波电路中的信号放大和开关控制。NB650AGL-P采用了先进的制造工艺，具备良好的高频性能和稳定性，是许多射频系统和通信设备的理想选择。
类型：NPN双极型晶体管
最大集电极电流（Ic）：100 mA
最大集电极-发射极电压（Vce）：15 V
最大集电极-基极电压（Vcb）：30 V
最大功耗（Ptot）：300 mW
频率（fT）：250 MHz
电流增益（hFE）：在Ic=2 mA时，典型值为80
封装类型：SOT-89
工作温度范围：-55°C至+150°C
NB650AGL-P晶体管具备优异的高频性能，适合在射频和微波电路中使用。其NPN结构使其在放大和开关应用中表现出色，特别是在低功率信号处理方面。该器件的SOT-89封装提供了良好的热管理和空间效率，适合在紧凑型电路设计中使用。
此外，NB650AGL-P具有较高的电流增益，在小信号放大时能够提供稳定的性能。其最大工作频率可达250 MHz，确保了在高频环境下的稳定工作。由于其良好的线性度和低噪声特性，该晶体管也常用于音频放大器和其他信号处理电路。
晶体管的可靠性较高，能够在较宽的温度范围内工作，适用于工业级和消费类电子产品。NB650AGL-P还具备较强的抗干扰能力，适合在复杂的电磁环境中使用。
NB650AGL-P晶体管广泛应用于射频前端模块、无线通信系统、信号放大器、开关电路和传感器接口等领域。在射频应用中，它可用于低噪声放大器（LNA）和驱动放大器的设计。在消费类电子产品中，该晶体管常用于音频放大、信号调节和电源管理电路。
此外，NB650AGL-P也可用于无线局域网（WLAN）、蓝牙模块、Zigbee通信设备以及物联网（IoT）设备中的信号处理和功率控制。由于其高频特性和小尺寸封装，它也适用于便携式电子设备中的射频开关和滤波器控制电路。
BCX56-10, 2N3904, BFQ68, MMBF4118
