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BAS116GWJ 发布时间 时间:2025/9/14 18:57:15 查看 阅读:4

BAS116GWJ 是一款由恩智浦半导体(NXP Semiconductors)推出的双通道高速开关二极管,属于表面贴装型器件,广泛用于需要高速开关性能和紧凑设计的电路中。该器件由两个独立的二极管组成,适用于高频信号切换、逻辑电路保护、电压钳位以及隔离电路等应用。BAS116GWJ 采用小型化的SOT-363封装,具备低正向压降、高可靠性以及优良的热稳定性,非常适合用于消费电子、工业控制和通信设备等领域。

参数

类型:双通道高速开关二极管
  最大正向电流(IF):100mA
  最大反向电压(VR):80V
  正向压降(VF):1.25V(最大值,@100mA)
  反向漏电流(IR):100nA(最大值,@80V)
  工作温度范围:-55°C 至 150°C
  存储温度范围:-65°C 至 150°C
  封装类型:SOT-363(TSSOP)
  引脚数:6
  结电容(Cj):3pF(典型值,@0V)
  反向恢复时间(trr):4ns(最大值)

特性

BAS116GWJ 作为一款双通道高速开关二极管,具备多个关键特性,使其适用于多种高频和低功耗应用场景。首先,其双通道设计允许在同一封装中实现两个独立的二极管功能,有助于减少PCB布局空间,提高电路集成度。其次,该器件的反向恢复时间(trr)非常短,最大值仅为4ns,这意味着它能够在高频条件下实现快速切换,降低开关损耗并提高系统效率。
  此外,BAS116GWJ 的正向压降较低,典型值为1.25V(在100mA电流下),这有助于减少功耗并提升整体能效。其最大反向电压为80V,最大正向电流为100mA,适用于中等功率级别的开关应用。该器件还具备较低的结电容(Cj)典型值为3pF,在高频信号路径中能够减少寄生效应,提升信号完整性。
  该器件采用SOT-363封装,是一种小型化的表面贴装封装形式,便于自动化生产和紧凑型设计。其工作温度范围为-55°C至150°C,适用于工业级温度要求。同时,BAS116GWJ 具有良好的热稳定性和可靠性,能够适应多种严苛环境条件下的运行需求。

应用

BAS116GWJ 的高速开关特性和双通道集成设计使其广泛应用于多个电子系统中。在通信设备中,它常用于射频信号切换、天线调谐电路以及信号隔离。在数字电路中,该器件可用于逻辑门的钳位保护和电压转换,确保电路在高速切换时的稳定性。此外,BAS116GWJ 还可用于电源管理系统中的隔离二极管、电压采样电路以及反向电压保护电路。
  在消费电子产品中,该器件可应用于USB接口的电源管理、电池充电电路中的隔离功能以及LCD背光驱动电路中的电压钳位保护。工业控制设备中,它可用于PLC模块中的信号隔离、传感器接口保护以及高速计数器电路中的信号整形。由于其高可靠性和宽工作温度范围,BAS116GWJ 也适用于汽车电子系统,如车载娱乐系统、车身控制模块和车载充电系统等。
  另外,BAS116GWJ 也可用于开关电源(SMPS)中的辅助电路、DC-DC转换器中的反馈网络以及LED驱动电路中的保护功能。由于其低电容特性,它在高速数据通信线路中可用于信号整流和防反灌保护。

替代型号

BAS116, BAS70, BAV99W, BAT54C

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BAS116GWJ参数

  • 现有数量0现货
  • 价格1 : ¥2.07000剪切带(CT)10,000 : ¥0.26866卷带(TR)
  • 系列Automotive, AEC-Q101
  • 包装卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷带
  • 产品状态在售
  • 技术标准
  • 电压 - DC 反向 (Vr)(最大值)75 V
  • 电流 - 平均整流 (Io)215mA
  • 不同 If 时电压 - 正向 (Vf)1.25 V @ 150 mA
  • 速度标准恢复 >500ns,> 200mA(Io)
  • 反向恢复时间 (trr)3 μs
  • 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏5 nA @ 75 V
  • 不同?Vr、F 时电容2pF @ 0V,1MHz
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳SOD-123
  • 供应商器件封装SOD-123
  • 工作温度 - 结150°C(最大)