时间：2025/6/20 18:51:42
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HH15N5R0C500CT是一款高性能的MOSFET功率晶体管，广泛应用于开关电源、电机驱动和功率转换电路中。该器件采用先进的制造工艺，具备低导通电阻、高开关速度和出色的热性能。
其封装形式为TO-220，适合大功率应用场合。通过优化设计，该器件能够在高频工作条件下保持较低的损耗，从而提升整体效率。
型号：HH15N5R0C500CT
类型：N沟道增强型MOSFET
最大漏源电压(Vds)：500V
最大栅源电压(Vgs)：±20V
连续漏极电流(Id)：15A
导通电阻(Rds(on))：0.18Ω（典型值，在Vgs=10V时）
输入电容(Ciss)：1350pF
总功耗(Ptot)：140W
工作温度范围：-55℃至+175℃
HH15N5R0C500CT具有以下显著特点：
1. 极低的导通电阻使得该器件在高电流应用中能够减少功率损耗。
2. 高耐压能力使其适用于高压环境下的功率管理任务。
3. 优异的热稳定性和可靠性，即使在极端温度条件下也能保持正常工作。
4. 快速开关性能有助于降低开关损耗，非常适合高频开关电源。
5. 符合RoHS标准，环保且满足国际法规要求。
该芯片适用于以下领域：
1. 开关模式电源(SMPS)中的功率开关。
2. DC-DC转换器和逆变器中的主功率级元件。
3. 电机驱动控制电路中的功率开关。
4. 工业自动化设备中的负载切换。
5. 充电器和适配器等消费类电子产品的功率管理部分。
IRF540N, STP15NF50
