NB6381DL-LF-Z 时间：2025/8/20 5:53:54 阅读：9

NB6381DL-LF-Z是一款由ON Semiconductor（安森美半导体）制造的双极型晶体管（BJT），属于NPN型晶体管。该器件专为高频率应用设计，具有良好的增益带宽积和稳定的性能表现，适用于射频（RF）和高速开关等场景。NB6381DL-LF-Z采用SOT-23封装，适用于表面贴装技术（SMT），具有体积小、功耗低、可靠性高等特点。

参数

晶体管类型：NPN
　　最大集电极电流（Ic）：100mA
　　最大集电极-发射极电压（Vce）：30V
　　最大集电极-基极电压（Vcb）：30V
　　最大功耗（Ptot）：300mW
　　最大工作温度：150°C
　　封装类型：SOT-23
　　增益带宽积（fT）：100MHz
　　电流增益（hFE）：110-800（分档）
　　安装类型：表面贴装

特性

NB6381DL-LF-Z具备优异的高频性能，适合用于射频放大器和高速开关电路。
　　其SOT-23封装形式使得它在PCB布局中占用空间小，适合高密度设计。
　　该晶体管具有较宽的工作温度范围，适用于工业级和汽车级应用环境。
　　电流增益（hFE）范围广，可根据不同应用需求选择合适的档位，提高设计灵活性。
　　低噪声系数和高增益带宽积使其在射频和模拟电路中表现出色。
　　在高频条件下仍能保持稳定的放大性能，确保信号传输的完整性。
　　此外，NB6381DL-LF-Z还具有良好的热稳定性和抗干扰能力，适合在复杂电磁环境中使用。

应用

NB6381DL-LF-Z广泛应用于射频（RF）前端模块、无线通信系统、高速开关电路、信号放大器以及各类便携式电子设备中。
　　常见于无线局域网（WLAN）、蓝牙模块、ZigBee通信、物联网（IoT）设备等领域的射频信号放大和处理电路。
　　也可用于音频放大器、传感器接口电路、电压调节器等模拟电路设计。
　　由于其高频性能和小型化封装，特别适合用于移动设备、穿戴式电子产品和嵌入式系统的信号处理环节。
　　此外，NB6381DL-LF-Z还可用于LED驱动、继电器控制、电源管理等需要快速开关和低功耗的场合。