时间：2025/12/25 15:19:59
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SRM20100LRM10是一款由Alpha & Omega Semiconductor（AOS）生产的高性能、高效率的肖特基势垒二极管（Schottky Barrier Diode），专为高频率开关电源应用而设计。该器件采用先进的沟槽式肖特基技术，能够在保持低正向电压降的同时有效抑制反向漏电流，从而提升整体能效并降低热损耗。SRM20100LRM10的额定平均正向整流电流为20A，最大重复峰值反向电压为100V，适用于需要高电流密度和快速恢复特性的电路中。其紧凑的表面贴装封装（如Power-DFN或类似低热阻封装）有助于实现高功率密度设计，并通过优化的引线框架和芯片布局显著降低寄生电感和电阻，提高系统稳定性。
该二极管广泛应用于DC-DC转换器、同步整流电路、开关模式电源（SMPS）、逆变器以及电池充电管理系统等场景。由于其优异的热性能和可靠性，SRM20100LRM10在工业控制、通信设备、服务器电源及新能源领域得到了广泛应用。此外，该器件符合RoHS环保标准，无铅且兼容无铅焊接工艺，支持回流焊和波峰焊等多种组装方式，便于大规模自动化生产。
类型：肖特基势垒二极管
极性：单路
最大重复反向电压（VRRM）：100V
平均正向整流电流（IF(AV)）：20A
峰值正向浪涌电流（IFSM）：80A
最大正向电压降（VF @ 20A）：0.58V
最大反向漏电流（IR @ 100V, 125°C）：400μA
工作结温范围（TJ）：-55°C 至 +175°C
热阻（RθJC）：1.5°C/W
封装类型：DFN-8 或 Power-DFN
安装类型：表面贴装（SMD）
引脚数：8
反向恢复时间（trr）：典型值 < 10ns
SRM20100LRM10采用先进的沟槽式肖特基结构，在保证低正向导通压降的同时显著改善了传统肖特基二极管存在的高反向漏电流问题。这种结构通过在硅表面形成深沟槽并精确控制金属-半导体接触面积，有效减少了电场集中效应，提升了器件的耐压能力与长期可靠性。其最大正向电压仅为0.58V（在20A条件下测试），意味着在大电流工作状态下功耗更低，发热量更小，从而提高了电源系统的整体效率，特别适合用于高负载持续运行的应用环境。
该器件具备极快的开关速度，反向恢复时间（trr）典型值小于10纳秒，几乎不存在少数载流子存储效应，因此在高频开关电路中不会产生明显的反向恢复电流尖峰，避免了由此引发的电磁干扰（EMI）和额外开关损耗。这一特性使其成为同步整流拓扑中的理想选择，尤其是在多相降压变换器或隔离式DC-DC模块中替代MOSFET体二极管使用时表现出色。
SRM20100LRM10具有出色的热性能，其结到壳热阻低至1.5°C/W，配合大面积散热焊盘设计，可高效地将内部产生的热量传导至PCB，确保长时间高负荷运行下的温度稳定。工作结温范围宽达-55°C至+175°C，适应严苛的工业与车载环境。同时，器件通过AEC-Q101认证的可能性较高（需查证具体批次），增强了在汽车电子系统中的适用性。
封装方面，该产品采用DFN-8或类似的无引线塑料封装，体积小巧，有利于节省PCB空间，同时具备良好的机械强度和抗振动能力。底部带有暴露散热焊盘，建议在PCB布局时连接至大面积铜箔以增强散热效果。所有材料均符合RoHS指令要求，不含铅、镉等有害物质，并支持绿色制造流程。
SRM20100LRM10主要应用于各类高效率、高频率的电力电子转换系统中。典型用途包括同步整流型DC-DC降压或升压转换器，特别是在服务器主板、图形处理器（GPU）供电模块和FPGA电源管理单元中作为续流二极管或输出整流元件使用。其低VF和快速响应特性有助于提升轻载与重载条件下的转换效率，满足现代计算平台对节能和热管理的严格要求。
在通信电源系统中，该器件可用于中间总线转换器（IBC）和POL（Point-of-Load）稳压器，支持高密度集成设计。在太阳能逆变器和储能系统的辅助电源部分，SRM20100LRM10也能发挥其高可靠性和耐高温优势。此外，它还适用于电动工具、无人机电源模块、LED驱动电源以及工业自动化设备中的开关电源整流环节。
由于其卓越的瞬态响应能力和抗浪涌电流性能，该二极管也可用于防止反向极性连接保护电路或作为箝位二极管抑制电压尖峰。在某些PFC（功率因数校正）电路中，虽然不常作为主整流管，但可辅助用于辅助绕组整流或反馈回路中，进一步优化系统能效和稳定性。
SRM20100LRTM10
AOZ8800ADJ
AOTF20100L
AP6203SH-HF
