NAND512W3A2BN6F
时间：2023/4/12 11:51:27
阅读：705
概述
制造商：STMicroelectronics
产品种类：闪存
数据总线宽度：8 bit
存储类型：NAND
存储容量：512 Mbit
结构：Sectored
封装 / 箱体：TSOP
定时类型：Asynchronous
接口类型：Parallel
访问时间：12000 ns
电源电压（最大值）：3.6 V
电源电压（最小值）：2.7 V
最大工作电流：20 mA
最大工作温度：+ 85℃
最小工作温度：- 40℃
封装：Reel
组织：16 K B x 4096
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NAND512W3A2BN6F参数
- 标准包装1,500
- 类别集成电路 (IC)
- 家庭存储器
- 系列-
- 格式 - 存储器闪存
- 存储器类型闪存 - NAND
- 存储容量512M（64M x 8）
- 速度-
- 接口并联
- 电源电压2.7 V ~ 3.6 V
- 工作温度-40°C ~ 85°C
- 封装/外壳48-TFSOP（0.724"，18.40mm 宽）
- 供应商设备封装48-TSOP
- 包装带卷 (TR)
