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NAND08GW3B2AN6E 发布时间 时间：2023/4/13 11:08:12 查看 阅读：449

制造商：STMicroelectronics
产品种类：闪存

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概述

制造商：STMicroelectronics

产品种类：闪存

数据总线宽度：8 bit

存储类型：NAND Flash

存储容量：8 Gbit

结构：Sectored

封装 / 箱体：TSOP

定时类型：Asynchronous

接口类型：Parallel

访问时间：25000 ns

电源电压（最大值）：3.6 V

电源电压（最小值）：2.7 V

最大工作电流：30 mA

最大工作温度：+ 85℃

最小工作温度：- 40℃

封装：Tray

组织：128K B x 8192


资料

厂商
STMICROELECTRONICS

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NAND08GW3B2AN6E参数

  • 制造商STMicroelectronics
  • 产品种类闪存
  • 数据总线宽度8 bit
  • 存储类型NAND Flash
  • 存储容量8 Gbit
  • 结构Sectored
  • 接口类型Parallel
  • Supply Voltage - Max3.6 V
  • Supply Voltage - Min2.7 V
  • 最大工作电流30 mA
  • 工作温度+ 85 C
  • 安装风格SMD/SMT
  • 封装 / 箱体TSOP
  • 封装Tray
  • 组织128 KB x 8192
  • 工厂包装数量576

IC型号索引： A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 

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