HIN232EIBNZ 是一款高性能的绝缘栅双极晶体管(IGBT),适用于高电压和大电流的应用场景。这款芯片采用了先进的制造工艺,能够提供更高的效率和更低的开关损耗。它具有短路保护功能,能够在极端条件下保持稳定运行。
该芯片设计用于工业电机驱动、不间断电源(UPS)、太阳能逆变器以及各类功率转换设备中。其封装形式为 TO-247,便于散热和安装,同时提供了良好的电气隔离性能。
集电极-发射极饱和电压:1.8V
额定电压:650V
额定电流:25A
最大工作结温:175°C
开关频率范围:高达 20kHz
输入电容:20nF
总功耗:300W
存储温度范围:-55°C 至 +150°C
HIN232EIBNZ 具备以下主要特性:
1. 高效的开关性能,降低能量损耗。
2. 内置短路保护机制,增强系统可靠性。
3. 支持较高的工作结温,适应恶劣环境。
4. 封装形式坚固耐用,确保长期稳定性。
5. 符合 RoHS 标准,环保且无铅。
6. 低热阻设计,有助于提高散热效率。
这款 IGBT 芯片广泛应用于多个领域,包括但不限于:
1. 工业自动化中的变频器与伺服驱动器。
2. 太阳能发电系统的 DC-AC 逆变器。
3. 不间断电源(UPS)以保障电力供应。
4. 电动汽车和混合动力汽车的动力系统。
5. 照明镇流器以及其他需要高效功率转换的场合。
HIN232EIBNZL, IRG4PC20UD, FGH25N65SMD