IR3C01N 时间：2025/7/18 19:27:54 阅读：2

IR3C01N 是一款由 Infineon Technologies（英飞凌）推出的功率 MOSFET 器件，主要用于高效能的电源管理和功率转换应用。这款 MOSFET 采用了先进的沟槽技术，提供较低的导通电阻（Rds(on)）和快速的开关性能，适用于 DC-DC 转换器、同步整流、负载开关等电路设计。

参数

类型：N 沟道 MOSFET
　　漏源电压（Vds）：30V
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　漏极电流（Id）：115A（连续）
　　导通电阻（Rds(on)）：最大 1.75mΩ @ Vgs=10V
　　功率耗散（Ptot）：150W
　　封装形式：TO-220
　　工作温度范围：-55°C 至 +175°C

特性

IR3C01N 具备低导通电阻特性，使得在高电流应用中能够显著降低导通损耗，提高系统效率。其先进的沟槽技术设计提升了器件的热性能和可靠性。
　　该 MOSFET 的栅极驱动电压范围较宽，支持 4.5V 至 20V 的驱动电压，兼容多种栅极驱动电路，包括低压微控制器和专用驱动 IC。
　　此外，IR3C01N 提供了优异的短路耐受能力和过热保护功能，确保在高应力工况下器件的稳定运行。
　　在封装方面，采用 TO-220 标准封装，具备良好的散热能力，并与大多数 PCB 布局兼容，便于安装和散热片固定。
　　器件还具备较低的栅极电荷（Qg），有助于降低开关损耗，提升高频开关应用中的性能表现。

应用

IR3C01N 主要应用于高效率的 DC-DC 转换器、同步整流器、电机驱动器、电池管理系统以及负载开关等场景。
　　在服务器电源、电信设备电源和工业控制系统中，IR3C01N 可用于同步整流拓扑结构，以提升整体能效。
　　在电动汽车和新能源设备中，它可用于高压电池管理系统中的高侧或低侧开关，确保高可靠性和低功耗。
　　由于其优异的热性能和高电流承载能力，也常用于需要频繁开关操作的电机控制和功率调节系统中。
　　此外，IR3C01N 还广泛用于 UPS（不间断电源）、太阳能逆变器和功率因数校正（PFC）电路中，以满足对高可靠性和高效率的严格要求。