时间：2025/5/7 9:58:16
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FDPF10N60NZ 是一款由 Fairchild（现为 ON Semiconductor）生产的 N 沟道功率场效应晶体管 (MOSFET)。该器件采用了先进的技术设计，具有低导通电阻和高开关速度的特性，适用于各种高效能功率转换应用。
这款 MOSFET 的电压等级为 600V，能够承受较高的漏源电压，同时提供较低的导通电阻以减少功率损耗。其封装形式为 TO-247，适合散热需求较高的场景。
最大漏源电压：600V
连续漏极电流：5.9A
导通电阻：1.3Ω
栅极电荷：25nC
总电容：150pF
工作温度范围：-55℃ 至 175℃
FDPF10N60NZ 具备以下主要特性：
1. 高耐压能力，支持高达 600V 的漏源电压，非常适合高压环境下的应用。
2. 极低的导通电阻（Rds(on)），在典型条件下仅为 1.3Ω，有助于降低传导损耗并提升效率。
3. 快速开关性能，得益于其较小的栅极电荷量（25nC），能够在高频应用场景中保持高效率。
4. 强大的热稳定性，可承受最高结温 175℃，从而提高系统可靠性。
5. 使用 TO-247 封装，便于安装与散热管理。
FDPF10N60NZ 广泛应用于多种电力电子领域，包括但不限于以下方面：
1. 开关电源 (SMPS)，如 AC/DC 转换器和 DC/DC 变换器。
2. 电机驱动电路，用于工业自动化设备中的无刷直流电机控制。
3. 逆变器模块，特别是在太阳能逆变器和不间断电源 (UPS) 系统中。
4. PFC（功率因数校正）电路，用于提升用电设备的能源利用效率。
5. 各类负载切换和保护电路，例如电池管理系统中的充放电控制。
FDZ11N60E, IRFP460, STP80NF60
