型号：N82S2708F
　　制造商：Texas Instruments
　　类型：一次性可编程只读存储器（OTP PROM）
　　存储容量：1K x 8位（1024字节）
　　封装形式：28引脚DIP或PLCC
　　电源电压：+5V ±5%
　　访问时间：典型值45ns至70ns（依具体版本而定）
　　输入/输出电平：TTL兼容
　　编程方式：高压脉冲编程（需专用编程器）
　　工作温度范围：0°C 至 +70°C（商用级）
　　引脚数量：28
　　数据宽度：8位
　　地址输入：A0-A9（共10位）
　　输出使能（OE）：有
　　芯片使能（CE）：有
　　编程脉冲电压：约+25.6V（用于编程操作）
　　待机电流：典型值50mA以下
　　最大功耗：约500mW

N82S2708F具备多项关键特性，使其在高速逻辑系统中表现出色。首先，其高速访问时间为45ns至70ns之间，使得该器件能够在高频运行环境中快速响应地址变化并输出对应的数据，满足对实时性要求较高的应用场景。这种性能水平在当时的技术条件下处于领先地位，能够有效支持微程序控制器和状态机的设计需求。其次，该器件采用双极性晶体管工艺制造，提供了较强的驱动能力和稳定的输出信号质量，确保在复杂噪声环境下依然保持可靠的数据传输。同时，其TTL电平兼容性意味着它可以无缝对接大多数基于TTL逻辑的系统，无需额外的电平转换电路，从而简化了系统设计并降低了整体成本。
　　N82S2708F作为一次性可编程器件，具有很高的安全性，一旦数据写入便无法更改，防止未经授权的修改或复制，特别适合用于保护固件代码或关键配置参数。其编程过程需要使用专用的PROM编程器，并施加约+25.6V的高压脉冲到指定引脚以完成熔丝烧录操作。虽然这一过程不可逆，但正因如此保证了数据的永久性和完整性。此外，该芯片具备良好的抗干扰能力与温度稳定性，在0°C至+70°C的商业温度范围内可稳定工作，适用于多种工业和民用电子设备。
　　该器件还集成了芯片使能（CE）和输出使能（OE）控制信号，允许在多芯片系统中进行灵活的片选管理和总线共享，避免总线冲突。当多个存储器或外设共用同一数据总线时，这些控制引脚可通过逻辑门电路或译码器精确控制激活时机，提升系统的扩展能力。尽管N82S2708F不具备现代闪存的擦写功能，但其简单、可靠的架构使其在一些对长期稳定性要求高于灵活性的应用中仍有优势。例如，在航空航天、军事装备或工业自动化控制系统中，某些老旧平台仍在使用此类器件进行维护替换。总体而言，N82S2708F凭借其成熟的设计、高速性能和高可靠性，成为上世纪末至本世纪初广泛应用的经典PROM器件之一。

N82S2708F主要应用于需要固定程序或数据存储的数字系统中。典型用途包括微程序控制器中的控制存储器，用于生成复杂的控制时序信号，驱动CPU或协处理器执行指令流程；也可作为地址译码器使用，在嵌入式系统或多外设架构中实现高效的片选逻辑生成。此外，它常被用于代码转换表的实现，例如将ASCII码转换为显示字符或打印机控制命令，广泛见于终端设备和打印控制器中。
　　在通信系统中，N82S2708F可用于存储协议帧格式、校验算法查找表或调制解调映射表，提高数据处理效率。测试与测量仪器也常利用该器件存储固定的校准参数、自检程序或菜单界面文本，确保设备上电后能立即加载必要信息。在工业控制领域，如PLC（可编程逻辑控制器）或数控机床中，N82S2708F可用来存放启动引导代码、I/O映射配置或故障诊断程序，保障系统稳定运行。
　　由于其一次性编程特性，该芯片也适用于防篡改应用场景，例如安全密钥存储、设备序列号固化或版权保护机制。在教育和实验平台中，N82S2708F被用于教学演示PROM编程原理、存储机器语言程序供学生调试学习。尽管当前主流设计已转向EEPROM或Flash存储器，但在系统升级受限、备件更换或逆向工程维护项目中，N82S2708F仍扮演着重要角色，尤其是在替代停产元器件或恢复老旧设备功能方面具有实际价值。

MCM82S2708B
　　DM82S2708AN
　　SIGNETICS 82S2708
　　AMD AM82S2708