RSS075P03FD5TB 时间：2025/12/25 12:44:34 阅读：19

RSS075P03FD5TB是一款由瑞萨电子（Renesas Electronics）推出的高性能、低导通电阻P沟道功率MOSFET，采用先进的沟槽栅极工艺制造，专为高效率电源管理应用设计。该器件具有极低的导通电阻（RDS(on)），能够在低电压和大电流条件下实现高效的开关控制，减少功率损耗并提升系统整体能效。其额定电压为-30V，最大连续漏极电流可达-7.5A，适用于电池供电设备、便携式电子产品以及需要紧凑封装和高效能表现的负载开关与电源切换应用。RSS075P03FD5TB采用小型化DFN2020封装（2.0mm x 2.0mm），具备优良的散热性能和空间利用率，适合对PCB面积敏感的设计需求。此外，该MOSFET还具备快速开关响应能力，支持高频操作，有助于减小外围滤波元件尺寸，从而进一步优化系统体积与成本。产品符合RoHS环保标准，并通过了AEC-Q101车规级可靠性认证，使其不仅适用于消费类电子，也可用于汽车电子中的辅助电源模块、车载信息娱乐系统及LED照明驱动等场景。

参数

型号：RSS075P03FD5TB
　　类型：P沟道MOSFET
　　最大漏源电压(VDSS)：-30V
　　最大栅源电压(VGSS)：±20V
　　最大连续漏极电流(ID)：-7.5A
　　最大脉冲漏极电流(ID pulsed)：-18A
　　导通电阻(RDS(on))@VGS=-10V：4.6mΩ
　　导通电阻(RDS(on))@VGS=-4.5V：5.3mΩ
　　导通电阻(RDS(on))@VGS=-2.5V：7.0mΩ
　　栅极阈值电压(Vth)：-1.0V ~ -2.0V
　　输入电容(Ciss)：920pF @ VDS=15V
　　反向恢复时间(trr)：未内置体二极管快恢复
　　工作结温范围(Tj)：-55°C 至 +150°C
　　封装形式：DFN2020

特性

RSS075P03FD5TB采用瑞萨先进的沟槽栅极技术，显著降低了导通电阻，从而在低电压应用中实现了卓越的能效表现。其超低RDS(on)值在-4.5V和-2.5V栅极驱动下仍保持优异水平，意味着即使在电池供电系统电压下降时，也能维持较低的传导损耗，延长设备续航时间。器件的栅极阈值电压范围合理，确保在逻辑电平控制下可靠开启与关断，避免因噪声干扰导致误动作。DFN2020封装不仅节省PCB空间，而且底部带有散热焊盘，可通过PCB导热路径有效散发工作热量，提高长期运行的稳定性。该MOSFET具备良好的雪崩耐受能力和抗浪涌电流特性，在电源插拔或负载突变等瞬态工况下表现出更强的鲁棒性。
　　此外，由于其出色的开关速度和较低的输入电容，RSS075P03FD5TB能够支持高频开关操作，适用于同步整流、DC-DC转换器中的高端开关以及热插拔控制电路。器件无内置快恢复体二极管，但在多数P沟道应用中作为上桥臂使用时，体二极管仅用于续流，且可通过外部肖特基二极管进行优化。产品经过严格的老化测试和温度循环验证，确保在恶劣环境下的长期可靠性。AEC-Q101认证进一步证明其在汽车级温度范围内的稳定性和耐用性，使其成为工业控制、物联网终端、移动电源管理及车载系统的理想选择。

应用

RSS075P03FD5TB广泛应用于各类需要高效、小型化P沟道MOSFET的电源管理系统中。典型应用场景包括便携式电子设备中的电池电源开关、USB电源管理、充电回路控制以及负载开关模块。在智能手机、平板电脑和可穿戴设备中，它可用于主电源路径的通断控制，实现低静态功耗待机模式。在DC-DC降压变换器中，该器件常被用作高端开关，配合控制器实现稳定的电压输出。此外，也适用于工业手持设备、智能家居控制板、无线传感器节点等对空间和能效有严苛要求的产品设计。得益于其车规级认证，该MOSFET还可用于汽车电子中的车窗控制、座椅调节、LED前照灯驱动电源切换以及车载摄像头供电管理等子系统。在热插拔电路或冗余电源切换系统中，其快速响应和低导通损耗特性有助于减少电压跌落和冲击电流，提升系统安全性与可用性。