型号：N74F640D
　　制造商：NXP Semiconductors
　　系列：74F
　　逻辑功能：八位缓冲/驱动器，三态输出
　　输入类型：TTL兼容
　　输出类型：三态
　　电源电压：4.5V ~ 5.5V
　　最大传播延迟：约3.5ns（典型值）
　　输出电流：±15mA（每输出）
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C
　　封装类型：SO20, DIP20
　　引脚数：20
　　逻辑电平：LVTTL兼容
　　最大工作频率：约100MHz（取决于负载）
　　低电平输入电压（VIL）：0.8V 最大
　　高电平输入电压（VIH）：2.0V 最小
　　静态电流：10mA（最大）
　　三态控制：双输出使能（OE1, OE2）
　　驱动能力：8个非反相缓冲通道

N74F640D具备卓越的高速性能与稳定的电气特性，使其成为高速数字系统中理想的缓冲与驱动解决方案。该器件采用先进的硅门CMOS工艺制造，能够在保证低功耗的同时实现极快的开关速度，典型传播延迟仅为3.5ns，显著优于传统TTL器件，适用于对时序要求极为严格的高速数据总线应用。其八位非反相缓冲结构允许并行数据通过而无需改变逻辑状态，同时提供增强的输出驱动能力，每个输出可提供高达±15mA的驱动电流，足以直接驱动多个TTL负载或长距离传输线路。器件配备两个输出使能引脚（OE1和OE2），可分别控制前四位和后四位输出通道的启用或禁用，当使能信号为低电平时，对应输出处于正常工作状态；当为高电平时，输出进入高阻抗状态，有效实现总线隔离，防止数据冲突。这种灵活的三态控制机制使得N74F640D非常适合用于多主设备共享总线的系统架构中，如微处理器系统中的地址或数据总线缓冲。此外，该芯片具备出色的噪声抑制能力和电平兼容性，输入阈值设计符合TTL规范，可与多种逻辑系列接口协同工作。其宽工作温度范围（-40°C至+85°C）确保了在恶劣工业环境下的长期可靠性。器件还内置了过流保护和静电放电（ESD）防护电路，增强了在实际应用中的鲁棒性。由于采用小型化SOIC封装，N74F640D在节省PCB空间的同时仍保持良好的散热性能，适用于高密度布局的设计需求。
　　值得一提的是，74F系列在速度与功耗之间实现了良好平衡，相较于早期的74AS或74ALS系列，它在降低动态功耗的同时维持了接近ECL级别的传输速度。N74F640D的输出结构经过优化，减少了上升和下降时间的不对称性，有助于改善信号完整性，减少反射和串扰问题。在高频操作下，其稳定的输出阻抗和可控的边沿速率使其适用于背板总线、存储器接口和视频信号处理等场合。此外，该器件在待机状态下功耗极低，静态电流不超过10mA，有利于延长便携式设备的电池寿命。综合来看，N74F640D凭借其高速、高驱动、三态控制和高可靠性等多重优势，在现代数字系统设计中仍然具有重要的实用价值，尤其适用于需要高性能缓冲功能的老式或兼容性设计项目。

N74F640D广泛应用于各类需要高速数据缓冲与总线驱动功能的数字电子系统中。其主要应用场景包括微处理器和微控制器系统中的地址与数据总线缓冲，用于增强信号驱动能力并实现多设备间的总线隔离。在工业自动化控制系统中，该芯片可用于PLC模块之间的信号调理与电平转换，提升系统的抗干扰能力和通信稳定性。在通信设备领域，如路由器、交换机和基站控制单元中，N74F640D常被用作并行数据路径的驱动器，以确保高速信号在长距离传输过程中的完整性。此外，在测试测量仪器、数据采集系统和数字示波器等精密设备中，该器件可用于前端信号缓冲，减少负载效应对前级电路的影响。在计算机外围设备中，如打印机、扫描仪和硬盘控制器中，N74F640D也发挥着关键作用，负责协调主机与外设之间的数据交换。由于其支持三态输出，特别适合构建共享总线架构，避免多个输出设备同时驱动总线导致的短路风险。在嵌入式系统和FPGA/CPLD接口设计中，该芯片可用作I/O扩展缓冲器，提高FPGA引脚的驱动能力。另外，在LED显示控制系统、数码管驱动电路以及工业人机界面（HMI）设备中，N74F640D也可作为高电流驱动缓冲器，直接驱动多位数码管或指示灯阵列。其宽温特性和高可靠性也使其适用于车载电子、航空航天和军事电子等严苛环境下的数字接口模块设计。总之，凡涉及并行数据传输、总线隔离、电平匹配或信号整形的场合，N74F640D均能提供稳定可靠的解决方案。

74F640N
　　74F640DW
　　SN74F640N
　　SN74F640NSR
　　MB74F640P