型号：QM15TD-HB
　　制造商：Qorvo
　　二极管类型：PIN 二极管
　　最大反向电压：100 V
　　最大平均电流：200 mA
　　最大峰值电流：1 A
　　热阻（结到外壳）：150 °C/W
　　电容（偏置电压4 MHz，1 V）：0.4 pF
　　串联电阻：0.6 Ω
　　开关时间（开启/关闭）：≤ 1 μs
　　工作温度范围：-55 至 +150 °C
　　存储温度范围：-65 至 +175 °C
　　封装类型：SOD-323
　　安装类型：表面贴装（SMD）

QM15TD-HB的核心特性之一是其卓越的高频响应能力，这得益于其极低的结电容和串联电阻。在1 GHz以上的频率范围内，该器件能够维持较低的插入损耗和较高的隔离度，确保信号传输的完整性与系统的整体效率。其典型结电容仅为0.4 pF（在1 V偏压下），使得它非常适合用于高频开关和调谐电路中，特别是在需要最小化信号衰减的应用中表现出色。此外，低至0.6 Ω的串联电阻显著降低了导通状态下的功率损耗，提高了能效并减少了发热问题，这对于高密度集成的射频前端尤为重要。
　　另一个关键特性是其出色的功率处理能力。QM15TD-HB能够承受高达100 V的反向电压，并支持最高200 mA的平均正向电流和1 A的峰值电流，使其适用于中等功率级别的射频开关和保护电路。这种高耐压和大电流能力结合良好的热设计，使器件在长时间高负载运行下仍能保持稳定性能。热阻仅为150 °C/W的设计有助于有效散热，防止因局部过热导致的性能退化或器件损坏。
　　该器件还具备非常快的开关速度，开关时间不超过1微秒，这意味着它可以快速响应控制信号，在动态调谐系统中实现毫秒级的阻抗调整或天线匹配切换。这一特性对于现代自适应射频系统至关重要，例如在多频段移动终端中自动优化天线性能以提升接收灵敏度和发射效率。
　　QM15TD-HB采用SOD-323小型表面贴装封装，不仅节省PCB空间，而且兼容自动化贴片工艺，有利于大规模生产。其机械结构坚固，具备良好的抗振动和冲击性能，适合在恶劣环境下使用。同时，器件在整个工业温度范围（-55°C 至 +150°C）内均能保持稳定的电气参数，无需额外补偿电路即可应对极端气候条件。此外，该PIN二极管具有高度的线性度和低互调失真，避免在多载波系统中产生干扰信号，满足高标准通信系统对信号纯净度的要求。

QM15TD-HB广泛应用于各类高频和微波射频系统中，尤其适用于需要高可靠性、小尺寸和高性能的现代通信设备。一个主要应用领域是移动通信基础设施，包括宏基站和小型蜂窝基站中的天线调谐模块和射频开关阵列。在这些系统中，QM15TD-HB可用于实现多频段天线的动态匹配，提升信号覆盖范围和链路质量。由于其低电容和低电阻特性，它可以在不引入显著损耗的情况下完成高频信号路径的切换与调节。
　　在用户终端设备方面，该器件被用于智能手机、平板电脑和物联网模块中的天线阻抗匹配网络。随着5G和Wi-Fi 6/6E等新技术的发展，设备需支持更多频段并具备自适应调谐功能，QM15TD-HB凭借其快速响应和宽温区稳定性成为理想选择。它可以帮助设备在不同使用场景（如手持、贴近人体或金属外壳干扰）下自动优化天线性能，从而提高数据吞吐率和电池效率。
　　此外，QM15TD-HB也常见于雷达和电子战系统中的射频前端，用于构建可重构滤波器或功率限制器。在这些军事和航空航天应用中，器件的高耐压、高温度稳定性和长期可靠性至关重要。其SOD-323封装虽小，但经过严格测试，符合高可靠性标准，可在严苛环境中长期服役。
　　其他应用还包括测试测量仪器、卫星通信终端、无线传感器网络以及工业无线控制系统。在这些场合，QM15TD-HB提供了灵活且高效的射频控制手段，支持复杂调制格式下的信号完整性保障。无论是作为开关、限幅器还是调谐元件，该器件都能提供一致且可预测的性能表现，是现代射频工程师常用的高性能PIN二极管之一。

UMD3100
　　MA4P7835F-107
　　BAR50-03W