类型：射频功率晶体管
　　工艺：LDMOS
　　频率范围：1.8 GHz - 2.2 GHz
　　输出功率：33W
　　工作电压：28V
　　增益：22dB
　　效率：40%
　　输入回波损耗：13dB
　　热阻：1.5°C/W
　　封装形式：陶瓷法兰封装
　　尺寸：22.2 x 12.7 x 5.2 mm

N710033BFTCFCA 的主要特性之一是其高性能的 LDMOS 技术，这种技术提供了卓越的功率密度和效率，使其非常适合用于高功率射频放大器应用。该器件在 1.8 GHz 至 2.2 GHz 的频率范围内运行，能够为广泛的应用提供稳定的信号放大能力。
　　另一个显著特点是其高输出功率，该器件在典型工作条件下可以提供高达 33W 的输出功率，满足通信系统中对高功率放大的需求。同时，22dB 的高增益进一步降低了对前级放大器的要求，从而简化了系统设计。
　　该晶体管的工作电压为 28V，这是射频功率晶体管中常见的电压标准，便于与现有的射频电源和功放系统集成。其 40% 的效率表现优异，有助于降低功耗并提高系统整体能效，从而减少热量生成并延长设备寿命。
　　N710033BFTCFCA 的封装设计采用了陶瓷法兰封装，具有良好的热管理能力。这种封装形式可以有效地将热量从芯片传导到散热器，确保在高功率运行时的稳定性。此外，该器件的热阻为 1.5°C/W，进一步优化了散热性能，提高了可靠性。
　　输入回波损耗为 13dB，表明该器件在信号输入端具有良好的阻抗匹配性能，能够减少信号反射，提高传输效率。这对于需要在复杂电磁环境中保持稳定性能的射频系统尤为重要。

N710033BFTCFCA 主要用于需要高功率放大的射频系统中，尤其是在无线通信领域中，例如蜂窝基站、微波通信设备和广播发射机等。在蜂窝基站中，该器件可用于功率放大模块，以增强基站的信号覆盖范围和传输质量。在广播设备中，它可作为主功率放大器，为 FM 广播或数字广播系统提供高稳定性和高效率的信号放大能力。
　　此外，N710033BFTCFCA 也适用于测试与测量设备，如射频信号发生器和频谱分析仪中的功率放大单元。由于其在 1.8 GHz - 2.2 GHz 频率范围内具有优异的性能，它还可用于工业、科学和医疗（ISM）频段的设备，如 RFID 读写器、无线传感器网络和无线监控系统。
　　在军事和航空航天领域，该器件可用于雷达系统和通信中继设备中的射频功率放大模块。其高可靠性和良好的热管理能力使其能够在严苛的环境条件下稳定运行，满足高端应用对性能和可靠性的严格要求。

N710033BF NXP