时间：2025/12/29 15:15:52
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N5116258HT50 是由 Integrated Silicon Solution, Inc.（ISSI）生产的一款高性能异步静态随机存取存储器（SRAM）芯片。该芯片的存储容量为256K x 16位，适用于需要高速数据访问和低延迟的应用场合。N5116258HT50采用标准的异步SRAM架构，支持高速读写操作，适用于各种工业、通信和消费类电子产品。
容量：256K x 16位
组织：256K x 16
电源电压：3.3V
访问时间：50ns
工作温度范围：-40°C至+85°C
封装类型：TSOP
引脚数：54
数据总线宽度：16位
地址总线宽度：18位
最大读取电流：180mA
最大待机电流：10mA
N5116258HT50 是一款高性能的异步SRAM芯片，具有多种显著的技术特性，使其适用于各种需要高速数据存储和访问的应用场景。
首先，该芯片的存储容量为256K x 16位，能够提供4MB的总存储空间，适用于需要较大容量高速缓存的应用。其异步设计允许地址和数据线在不同的时间进行设置和保持，提高了灵活性，适用于各种非同步总线架构。
其次，N5116258HT50 的访问时间为50ns，这意味着它能够在非常短的时间内完成读取或写入操作，非常适合需要快速响应的系统。其工作电压为3.3V，符合现代低功耗电子系统的设计要求，并具有较高的能效比。
此外，该芯片的封装类型为54引脚TSOP（薄型小外形封装），这种封装形式不仅体积小巧，而且具有良好的散热性能，适合在空间受限的高密度PCB设计中使用。同时，N5116258HT50 支持宽温度范围工作（-40°C至+85°C），适用于工业级环境条件，确保了在各种恶劣环境下的稳定运行。
在功耗方面，N5116258HT50 在最大读取操作时的电流为180mA，而在待机模式下电流可降至10mA以下，实现了良好的节能效果，特别适用于对功耗敏感的嵌入式系统和便携式设备。
最后，该芯片的16位数据总线和18位地址总线设计，使其能够直接连接到各种微处理器和控制器，简化了系统设计并提高了数据传输效率。此外，其支持的异步控制信号（如CE#、OE#、WE#）使其能够轻松集成到现有的SRAM接口环境中。
N5116258HT50 SRAM芯片广泛应用于需要高速、低延迟存储的场合，包括但不限于嵌入式系统、工业控制设备、网络通信设备、图形加速器、打印机缓冲、医疗设备和测试测量仪器。其高可靠性和宽温度范围特性使其特别适合工业自动化、车载电子和通信基站等对稳定性要求极高的应用场景。此外，由于其16位并行接口设计，N5116258HT50也非常适合用于需要大量高速缓存的DSP系统和FPGA设计中。
IS61LV25616-50T
