时间：2025/6/22 5:43:17
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FN21N3R3C500PAG是一款高性能的N沟道MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件适用于高频开关和功率管理应用，具有低导通电阻、快速开关速度和高电流处理能力。其封装形式为行业标准的TO-263，能够满足多种工业和消费类电子设备的需求。
该型号属于Fairchild（现为ON Semiconductor的一部分）旗下的MOSFET产品系列，广泛用于电源适配器、DC-DC转换器、电机驱动以及负载开关等电路中。其设计特点使其成为需要高效能功率转换的应用的理想选择。
最大漏源电压：50V
最大连续漏极电流：4.8A
导通电阻（典型值）：35mΩ
栅极电荷（典型值）：9nC
总电容（输入电容）：110pF
开关频率：高达1MHz
工作温度范围：-55℃至+150℃
封装类型：TO-263
FN21N3R3C500PAG的主要特性包括：
1. 极低的导通电阻，从而降低传导损耗并提高系统效率。
2. 快速的开关速度，适合高频操作环境，减少开关损耗。
3. 高电流承载能力，支持大功率应用。
4. 良好的热性能，确保在高温环境下稳定运行。
5. 提供ESD保护功能以增强器件的耐用性。
6. 符合RoHS标准，环保且无铅焊接兼容。
这些特点使该MOSFET适用于各种对效率和可靠性要求较高的场合。
FN21N3R3C500PAG常用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS），如AC-DC适配器和充电器。
2. DC-DC转换器中的同步整流和降压/升压电路。
3. 各种电机控制电路，例如小型直流电机驱动。
4. 消费类电子产品中的负载开关和保护电路。
5. 工业自动化设备中的功率管理和信号切换。
由于其优异的性能表现，这款MOSFET可以很好地满足从便携式设备到复杂工业系统的多样化需求。
FDMQ8203, IRF7407, AO3400
