N3372-6302RB 是一款由 ON Semiconductor(安森美半导体)生产的双极型晶体管(BJT),属于 NPN 类型的功率晶体管。该器件设计用于需要高电流和高电压能力的应用场合,例如电源管理、电机控制、开关电源(SMPS)以及工业自动化系统。该晶体管采用 TO-220 封装,具备良好的热性能和可靠性,适用于需要高效率和稳定性的场景。
类型:NPN 双极型晶体管
集电极-发射极电压(VCEO):100V
集电极-基极电压(VCBO):100V
发射极-基极电压(VEBO):5V
最大集电极电流(IC):15A
最大功耗(PD):125W
工作温度范围:-55°C 至 +150°C
封装类型:TO-220
电流增益(hFE):在 IC=2A 时为 20 至 80(取决于等级)
过渡频率(fT):4MHz
N3372-6302RB 晶体管具备多项关键特性,使其适用于多种高功率应用。首先,其高集电极-发射极电压(VCEO)和集电极-基极电压(VCBO)均为 100V,使其能够承受较高的电压应力,适用于高压开关应用。其次,该器件的最大集电极电流可达 15A,能够驱动大功率负载,如直流电机、继电器和高功率 LED 阵列。此外,其最大功耗为 125W,并结合 TO-220 封装的优良散热性能,确保了在连续高负载条件下的稳定运行。
该晶体管的电流增益(hFE)在 IC=2A 时可达到 20 至 80 的范围,具有良好的线性放大性能和开关能力。过渡频率(fT)为 4MHz,表明其在中频范围内仍能保持较好的增益特性,适用于中高频开关应用。N3372-6302RB 的基极-发射极电压(VEBO)为 5V,设计时需注意基极驱动电路的电压限制,以避免损坏器件。
此外,该晶体管具有良好的热稳定性,工作温度范围为 -55°C 至 +150°C,适用于工业级和汽车电子应用中的严苛环境。TO-220 封装不仅便于安装在散热片上,还具备良好的机械强度和电气绝缘性能,适用于多种电路布局。
N3372-6302RB 主要用于需要高电压和高电流能力的电路中,例如开关电源(SMPS)中的功率开关、DC-DC 转换器、电机驱动器、继电器驱动电路、电池充电器和逆变器等。在工业自动化领域,该晶体管可用于控制大功率执行机构和传感器模块。此外,它还可用于音频放大器的输出级,特别是在需要高输出功率的场合,如功放和扬声器驱动电路。在汽车电子系统中,N3372-6302RB 可用于电动助力转向系统(EPS)、车窗控制模块和车身控制系统等应用。
TIP142, MJ21194, 2N6292