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GA1812Y683MXCAR31G 发布时间 时间:2025/6/6 11:26:31 查看 阅读:4

GA1812Y683MXCAR31G 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片,主要应用于开关电源、电机驱动和 DC-DC 转换器等场景。该芯片采用先进的制造工艺,具有低导通电阻和快速开关特性,能够显著提高系统的效率和稳定性。
  这款器件适用于需要高效率和低损耗的电力电子应用,并且通过优化设计降低了电磁干扰(EMI)问题,提升了整体性能表现。

参数

型号:GA1812Y683MXCAR31G
  类型:N沟道增强型MOSFET
  封装形式:TO-247
  最大漏源电压(VDS):650V
  最大栅源电压(VGS):±20V
  最大漏极电流(ID):18A
  导通电阻(RDS(on)):0.18Ω
  功耗(PD):190W
  工作温度范围(TJ):-55℃至+175℃
  总电荷(Qg):70nC

特性

GA1812Y683MXCAR31G 的主要特性包括:
  1. 高耐压能力,适合高压应用场景;
  2. 极低的导通电阻 RDS(on),有效减少传导损耗;
  3. 快速开关速度,降低开关损耗;
  4. 出色的热性能,保证高温环境下的稳定运行;
  5. 内置 ESD 保护电路,提高了产品的可靠性和抗干扰能力;
  6. 符合 RoHS 标准,环保无铅设计。

应用

该芯片广泛应用于以下领域:
  1. 开关模式电源 (SMPS),如适配器和充电器;
  2. 工业电机驱动控制;
  3. 太阳能逆变器及储能系统;
  4. DC-DC 转换器与升压模块;
  5. 电动车和混合动力汽车中的电池管理系统;
  6. 各种需要高效功率转换的工业和消费类电子产品。

替代型号

IRFP260N
  STP18NF55
  FDP18N65C
  IXFN120N65T2

GA1812Y683MXCAR31G参数

  • 现有数量0现货
  • 价格在售
  • 系列GA
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容0.068 μF
  • 容差±20%
  • 电压 - 额定200V
  • 温度系数X7R
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳1812(4532 公制)
  • 大小 / 尺寸0.177" 长 x 0.126" 宽(4.50mm x 3.20mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.086"(2.18mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-