GA1812Y683MXCAR31G 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片,主要应用于开关电源、电机驱动和 DC-DC 转换器等场景。该芯片采用先进的制造工艺,具有低导通电阻和快速开关特性,能够显著提高系统的效率和稳定性。
这款器件适用于需要高效率和低损耗的电力电子应用,并且通过优化设计降低了电磁干扰(EMI)问题,提升了整体性能表现。
型号:GA1812Y683MXCAR31G
类型:N沟道增强型MOSFET
封装形式:TO-247
最大漏源电压(VDS):650V
最大栅源电压(VGS):±20V
最大漏极电流(ID):18A
导通电阻(RDS(on)):0.18Ω
功耗(PD):190W
工作温度范围(TJ):-55℃至+175℃
总电荷(Qg):70nC
GA1812Y683MXCAR31G 的主要特性包括:
1. 高耐压能力,适合高压应用场景;
2. 极低的导通电阻 RDS(on),有效减少传导损耗;
3. 快速开关速度,降低开关损耗;
4. 出色的热性能,保证高温环境下的稳定运行;
5. 内置 ESD 保护电路,提高了产品的可靠性和抗干扰能力;
6. 符合 RoHS 标准,环保无铅设计。
该芯片广泛应用于以下领域:
1. 开关模式电源 (SMPS),如适配器和充电器;
2. 工业电机驱动控制;
3. 太阳能逆变器及储能系统;
4. DC-DC 转换器与升压模块;
5. 电动车和混合动力汽车中的电池管理系统;
6. 各种需要高效功率转换的工业和消费类电子产品。
IRFP260N
STP18NF55
FDP18N65C
IXFN120N65T2