时间：2025/8/14 16:35:43
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LN2302BLT1G是一款由LRC（乐山无线电）制造的N沟道增强型功率MOSFET。该器件专为高效率电源管理和功率开关应用而设计，具备低导通电阻和高耐压能力，适合用于DC-DC转换器、负载开关、电机驱动电路和电池管理系统中。该MOSFET采用SOT-23封装，适合表面贴装，具有较小的封装体积，适用于空间受限的设计。
类型：N沟道增强型MOSFET
漏源电压(VDS)：20V
栅源电压(VGS)：±8V
连续漏极电流(ID)：3.9A
导通电阻(RDS(on))：35mΩ @ VGS=4.5V
导通电阻(RDS(on))：50mΩ @ VGS=2.5V
功耗(Pd)：1.5W
工作温度范围：-55°C ~ +150°C
封装形式：SOT-23
LN2302BLT1G具备多项优异特性，适合各种高效率功率转换应用。其低导通电阻（RDS(on)）能够有效降低导通损耗，提高系统效率。在4.5V栅极驱动电压下，RDS(on)仅为35mΩ，在2.5V驱动电压下也可达到50mΩ，这使其在低电压控制电路中也能良好工作，例如由微控制器直接驱动。该器件的漏源击穿电压为20V，能够承受较高的电压应力，适用于中低压电源转换系统。
此外，LN2302BLT1G采用了SOT-23封装，体积小巧，便于在紧凑的PCB布局中使用。该封装也具有良好的热性能，确保在中等功率负载下稳定运行。器件的栅极氧化层设计能够承受±8V的栅源电压，提高了抗过压能力和可靠性。该MOSFET具有快速开关特性，减少了开关损耗，适用于高频PWM控制电路。
由于其良好的导通性能和封装散热能力，LN2302BLT1G可在高电流负载下保持较低的温升，有助于提升整体系统的稳定性与寿命。此外，该器件符合RoHS环保标准，适用于无铅工艺的现代电子制造流程。
LN2302BLT1G广泛应用于各种电源管理系统和功率控制电路中。常见用途包括DC-DC降压或升压转换器、同步整流器、电池充电管理电路、便携式电子设备中的负载开关、LED驱动电路以及电机控制模块。此外，它也可用于工业自动化设备、智能电表、手持式仪器和电源管理IC的外围功率开关元件。
Si2302DS, AO3400A, 2N7002K, BSS138
