类型：N 沟道 MOSFET
　　漏源电压（Vds）：30V
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id）：100A
　　导通电阻（Rds(on)）：2.4mΩ @ Vgs=10V
　　功率耗散（Pd）：160W
　　工作温度范围：-55°C ~ 175°C
　　封装：D2PAK（TO-263）

N32024R3DN 采用先进的沟槽式 MOSFET 技术，具有非常低的导通电阻（Rds(on)），从而减少了导通状态下的功率损耗，提高了系统效率。
　　该器件的栅极驱动电压范围宽，支持标准逻辑电平驱动，兼容多种控制电路，提高了设计的灵活性。
　　其高电流承载能力和良好的热性能使其适用于高功率密度设计，能够在高电流和高温环境下稳定工作。
　　内置的体二极管能够处理感性负载中的反向电流，适用于开关电源、电机驱动和负载切换等应用。
　　此外，N32024R3DN 采用 D2PAK 封装，具有良好的散热性能，适合表面贴装工艺，便于自动化生产和高密度 PCB 布局。

N32024R3DN 主要用于需要高效能和高可靠性的功率管理场合，如同步整流器、DC-DC 降压/升压转换器、服务器和通信设备的电源模块、电池管理系统、电动工具和工业电机控制。
　　在服务器电源和适配器中，该 MOSFET 可用于高效同步整流电路，提高电源转换效率并降低热量产生。
　　在电池管理系统中，该器件可用作充放电控制开关，支持高电流路径的导通与关断，确保系统的安全运行。
　　在工业自动化和电机控制应用中，N32024R3DN 可用于 H 桥电路或半桥驱动拓扑，实现电机的双向控制和能耗制动。
　　此外，该 MOSFET 还适用于太阳能逆变器、电动车充电模块和高功率 LED 照明驱动等新兴应用领域。

SiR142DP-T1-GE3, IRF1404, NVTFS5C471NLWFTAG, FDS6680