FN21X334K500EIG 是一款高性能的场效应晶体管(FET),专为高功率开关应用设计。该器件采用先进的制造工艺,具有低导通电阻和快速开关速度的特点,适合用于电源管理、电机驱动和逆变器等场景。
FN21X334K500EIG 的封装形式为行业标准的表面贴装类型,能够提供优异的散热性能,并且具备较高的可靠性和稳定性。其出色的电气特性使其成为工业控制、消费电子和通信设备中的理想选择。
类型:N沟道 MOSFET
最大漏源电压:150V
最大栅源电压:±20V
连续漏极电流:50A
导通电阻(典型值):3.5mΩ
总功耗:150W
工作温度范围:-55℃至+175℃
封装形式:TO-247
FN21X334K500EIG 具有以下显著特点:
1. 极低的导通电阻,能够减少系统能耗并提升效率。
2. 快速开关能力,支持高频操作,适用于现代电力电子设备。
3. 高度可靠的绝缘结构设计,确保在恶劣环境下依然保持稳定运行。
4. 强大的过流保护功能,延长了器件的使用寿命。
5. 宽泛的工作温度范围,使其能够在极端条件下正常工作。
6. 表面贴装封装技术简化了安装过程,同时提高了系统的紧凑性。
FN21X334K500EIG 主要应用于以下几个领域:
1. 开关电源(SMPS)中作为主开关元件。
2. 电动车辆的电机控制器和逆变器模块。
3. 太阳能逆变器和储能系统中的功率转换。
4. 工业自动化设备中的伺服驱动和变频器。
5. 消费类电子产品中的高效电源管理方案。
6. 照明系统中的 LED 驱动电路。
IRFP2907, FDP17N10, STP120NF10L