时间：2025/8/25 2:59:29
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FGL160N60RUFD是一款由ON Semiconductor（安森美半导体）制造的N沟道功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。这款器件主要用于高功率应用，如电源转换、电机控制、工业自动化和不间断电源系统等。该MOSFET具有低导通电阻（Rds(on)）、高电流容量和高耐压特性，能够满足对效率和可靠性有高要求的应用场景。
类型：N沟道MOSFET
漏极电流（Id）：160A
漏极-源极击穿电压（Vds）：600V
栅极-源极电压（Vgs）：±30V
导通电阻（Rds(on)）：最大0.115Ω @ Vgs=10V
工作温度范围：-55°C 至 150°C
封装类型：TO-247
功率耗散（Pd）：300W
FGL160N60RUFD具备多个高性能特性，使其在功率MOSFET领域中表现出色。首先，其低导通电阻（Rds(on)）有助于降低导通损耗，提高系统效率。该器件的600V耐压能力使其适用于高电压工作环境，同时具有良好的抗电压尖峰能力。此外，160A的高连续漏极电流额定值使其能够承受大功率负载，适用于高电流应用。其TO-247封装形式具有良好的热管理和散热性能，确保在高功率运行时仍能保持稳定。该MOSFET还具备快速开关特性，有助于降低开关损耗，提高响应速度，适用于高频开关电源设计。栅极驱动电压为10V时即可实现充分导通，兼容常见的MOSFET驱动电路，提高了设计灵活性。此外，该器件采用了先进的制造工艺，确保了稳定性和耐用性，能够在恶劣的工业环境下长期运行。
该MOSFET广泛应用于各种高功率电子系统中。常见的应用包括开关电源（SMPS）、逆变器、电机驱动器、工业自动化设备、不间断电源（UPS）、电焊设备以及太阳能逆变器等。由于其高耐压和大电流能力，特别适合用于需要高效功率转换和管理的场合。在新能源领域，如电动汽车充电系统和储能逆变器中，FGL160N60RUFD也常被采用，以实现高效的能量转换和稳定的系统性能。
SGH160N60UFD, FGP160N60RUFD, IXFH160N60Q2
