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IXFX420N10T 发布时间 时间:2025/8/6 11:41:08 查看 阅读:22

IXFX420N10T 是一款由 IXYS 公司制造的高功率 N 沟道增强型 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),主要用于高电流、高功率的应用场景,例如电源转换器、电机驱动器、UPS(不间断电源)以及工业控制系统。该器件采用了先进的平面 DMOS 技术,具备较低的导通电阻(RDS(on))和优异的热性能,能够支持在高电流条件下稳定工作。

参数

类型:N 沟道 MOSFET
  最大漏极电流(ID):200A
  最大漏-源电压(VDS):100V
  最大栅-源电压(VGS):±20V
  导通电阻(RDS(on)):最大 3.2mΩ(典型值 2.7mΩ)
  封装类型:TO-264
  工作温度范围:-55°C 至 +175°C

特性

IXFX420N10T 的核心特性之一是其极低的导通电阻,这有助于降低导通损耗并提高整体系统效率。该器件的 TO-264 封装形式提供了良好的散热性能,使其能够在高功率密度设计中保持良好的热稳定性。
  此外,IXFX420N10T 支持高达 200A 的连续漏极电流,非常适合用于高电流应用,如大功率 DC-DC 转换器、电池管理系统(BMS)、电动工具和电动车驱动系统。
  该 MOSFET 还具备出色的抗雪崩击穿能力,能够承受瞬态过压和高能脉冲,从而提高系统的可靠性和耐用性。其栅极驱动电压范围较宽(通常为 4V 至 10V),可以兼容多种驱动电路,包括传统的栅极驱动 IC 和微控制器输出。
  IXFX420N10T 还具有快速开关特性,能够实现高频率操作,适用于高频开关电源(SMPS)和同步整流等应用。同时,其内部寄生二极管也具备较高的反向恢复性能,有助于减少开关损耗并提升整体效率。

应用

IXFX420N10T 广泛应用于各种高功率电子系统中,包括但不限于:工业电源系统、不间断电源(UPS)、直流电机控制器、电池充电器、电动车辆(如电动叉车、电动车)的功率控制模块、太阳能逆变器、高功率 LED 驱动器以及各种类型的开关电源(SMPS)。
  由于其优异的导通性能和高电流承载能力,该器件特别适用于需要高效率、低损耗的电源转换系统。例如,在 DC-DC 升压/降压转换器中,IXFX420N10T 可以作为主开关器件,显著降低导通损耗,提高转换效率。
  在电机驱动应用中,该 MOSFET 可用于 H 桥结构中的高/低端开关,控制直流电机的正反转和速度调节,其高电流能力和快速开关特性有助于提升电机的响应速度和效率。
  此外,在电池管理系统(BMS)中,IXFX420N10T 可用于实现电池的充放电控制,确保电池在安全范围内工作,延长电池寿命。

替代型号

IXFN200N10T, IXFH200N10T, IRFP4468PBF, APT5056J

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IXFX420N10T参数

  • 标准包装30
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列GigaMOS™ HiPerFET™
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)100V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C420A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C2.6 毫欧 @ 60A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)5V @ 8mA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs670nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds47000pF @ 25V
  • 功率 - 最大1670W
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳TO-247-3
  • 供应商设备封装PLUS247?-3
  • 包装管件