型号：UPB2D220MPD
　　类型：P沟道MOSFET
　　最大漏源电压（VDS）：-20V
　　最大连续漏极电流（ID）：-4.4A
　　最大脉冲漏极电流（ID_pulse）：-12A
　　最大栅源电压（VGS）：±12V
　　导通电阻RDS(on)（@VGS = -4.5V）：22mΩ
　　导通电阻RDS(on)（@VGS = -2.5V）：35mΩ
　　栅极阈值电压（Vth）：-0.8V ~ -1.4V
　　输入电容（Ciss）：500pF
　　输出电容（Coss）：200pF
　　反向传输电容（Crss）：50pF
　　最大功耗（Pd）：1W
　　工作结温范围（Tj）：-55°C ~ +150°C
　　封装形式：S-Mini (SOP-5L兼容)
　　安装类型：表面贴装

UPB2D220MPD采用ROHM专有的沟槽栅极结构，显著降低了导通电阻，从而减少了导通状态下的功率损耗，提高了整体能效。其低RDS(on)特性使其非常适合用于大电流开关应用，例如电池管理系统中的充放电控制、DC-DC转换器的同步整流以及负载开关电路。该器件在-4.5V和-2.5V的栅极驱动电压下均表现出优异的导通性能，确保了即使在低电压控制系统中也能实现可靠的导通，提升了系统的兼容性和灵活性。
　　该MOSFET的S-Mini封装不仅体积小巧，还优化了引脚布局以减少寄生电感和电阻，从而改善了高频开关性能并降低了电磁干扰（EMI）。封装底部设有散热焊盘，可通过PCB上的热过孔将热量有效传导至地层或散热层，进一步增强热管理能力。这种设计特别适合高密度布局的应用场景，如智能手机、平板电脑和其他便携式设备。
　　UPB2D220MPD具备良好的雪崩耐受能力和抗短路能力，在异常工况下仍能保持稳定运行，延长了系统寿命。其栅氧化层经过严格工艺控制，具有出色的长期可靠性，能够承受反复的开关应力而不发生性能退化。此外，器件内部集成的二极管提供了对感性负载反向电动势的续流路径，保护主开关免受电压尖峰冲击。
　　由于通过了AEC-Q101认证，UPB2D220MPD可在汽车级温度范围内可靠工作，适用于车载信息娱乐系统、车身电子模块、LED照明驱动等应用场景。其高抗扰度和稳定性使其在存在电压波动和电磁噪声的复杂电气环境中依然表现优异。

UPB2D220MPD广泛应用于需要高效、紧凑型P沟道MOSFET的各种电子系统中。典型应用包括便携式消费类电子产品中的电源开关和电池保护电路，用于控制电池的充放电通路，防止过流、过压和反向连接造成的损害。在移动设备中，它常被用作背光驱动或外设电源的开关元件，利用其快速开关特性和低静态功耗来延长电池续航时间。
　　在工业和汽车电子领域，UPB2D220MPD可用于电机驱动电路中的高端开关、继电器替代方案以及DC-DC降压变换器中的同步整流器。其车规级认证使其成为汽车辅助电源模块、传感器供电单元和车载充电器的理想选择。此外，该器件也适用于各类负载开关应用，如热插拔控制器、多电源切换电路和冗余电源管理系统，提供安全可靠的电源通断控制。
　　由于其良好的热性能和小型化封装，UPB2D220MPD也被广泛用于空间受限的设计中，例如可穿戴设备、物联网终端节点和微型无人机等新兴应用领域。其稳定的电气特性保证了在长时间运行下的系统可靠性，满足现代电子产品对高性能与小型化的双重需求。

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